[实用新型]显示基板及显示面板有效
申请号: | 202020451671.0 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN211929490U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 杨富强;赵攀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示基板,其具有开孔区、环绕所述开孔区的过渡区,以及环绕所述过渡区的显示区;所述显示基板包括:
基底,
隔离柱、围堰结构,均设置在所述基底上,位于所述过渡区且环绕所述开孔区;其中,所述隔离柱包括第一隔离柱,所述第一隔离柱位于所述围堰结构靠近所述显示区的一侧;
有机电致发光二极管、第一封装层、第二封装层、第三封装层,依次设置在所述基底上,所述有机电致发光二极管位于所述显示区,所述第一封装层和所述第三封装层在所述基底上的正投影至少覆盖所述显示区和所述过渡区;所述第二封装层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区和所述过渡区的所述第一隔离柱;其中,
位于所述第一隔离柱上的所述第二封装层的厚度,与所述第一隔离柱的厚度比为2:1~6:1。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一隔离柱包括第一子隔离柱,所述第一子隔离柱与所述围堰结构相邻,所述第二封装层在所述基底上的正投影与所述第一子隔离柱重叠的区域的平均厚度与所述第一子隔离柱的厚度比为2:1~6:1。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述第二封装层在所述基底上的正投影与所述第一子隔离柱重叠的区域的厚度与所述第一子隔离柱的厚度比为6:1。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其中,所述第二封装层从所述显示区到所述过渡区的厚度逐渐减小。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述第一子隔离柱包括:叠层设置的第一子隔离层、第二子隔离层、第三子隔离层;
所述第一子隔离层和所述第三子隔离层在所述基底上的正投影重合,所述第二子隔离层在所述基底上的正投影落在所述第一子隔离层在所述基底上的正投影内。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述第一子隔离层和所述第三子隔离层的厚度为0.04μm-0.08μm;所述第二子隔离层的厚度为0.4μm-0.6μm。
7.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述第一子隔离层和所述第三子隔离层的材料包括钛,所述第二子隔离柱的材料包括铝。
8.根据权利要求5所述的显示基板,其中,在所述第二子隔离层靠近所述第三子隔离层的表面附着有颗粒结构。
9.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述第三子隔离层相对于所述基底所在平面上翘。
10.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述第一子隔离柱的侧边设置有凹槽。
11.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括设置在所述基底上的驱动电路层;所述驱动电路层至少包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的漏极与所述有机电致发光二极管的第一极连接;所述驱动晶体管的源极和漏极与所述隔离柱同层设置,且材料相同。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述驱动晶体管的源极和漏极与所述有机电致发光二极管的第一极所在层之间设置有平坦化层;所述驱动晶体管的漏极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述有机电致发光二极管的第一极连接。
13.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述驱动晶体管的源极和漏极与所述有机电致发光二极管的第一极所在层之间依次设置有钝化层、转接电极、第一子平坦化层、第二子平坦化层;所述转接电极通过贯穿所述钝化层和所述第一子平坦化层的过孔与所述驱动晶体管的漏极连接,所述有机电致发光二极管的第一极通过贯穿所述第二子平坦化层的过孔与所述转接电极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020451671.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可清理管道内壁的清理装置
- 下一篇:一种机械设备安装装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的