[实用新型]一种大电流IGBT芯片结构有效
| 申请号： | 202020457303.7 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN211743164U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱旭强 | 申请（专利权）人： | 宜兴杰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 尹慧晶 |
| 地址： | 214200 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 igbt 芯片 结构 | ||
1.一种大电流IGBT芯片结构，其特征在于，该芯片结构包括位于芯片外周的截止环区(4)和位于芯片正中的栅极焊线区(1)，在截止环区(4)以内、栅极焊线区(1)以外设有能够进行区域划分以形成多个独立发射极焊线区(3)的栅极总线(2)。
2.根据权利要求1所述的大电流IGBT芯片结构，其特征在于，栅极总线(2)包括周圈栅极总线(2-1)，在周圈栅极总线(2-1)的内部布置横向栅极总线(2-2)和纵向栅极总线(2-3)，前述横向栅极总线(2-2)、纵向栅极总线(2-3)和周圈栅极总线(2-1)，以及横向栅极总线(2-2)、纵向栅极总线(2-3)、周圈栅极总线(2-1)和栅极焊线区(1)的外周围接成若干个独立的发射极焊线区(3)。
3.根据权利要求1所述的大电流IGBT芯片结构，其特征在于，多个发射极焊线区(3)以栅极焊线区(1)为中心，对称布置。
4.根据权利要求1所述的大电流IGBT芯片结构，其特征在于，多个发射极焊线区(3)以栅极焊线区(1)为中心，左右对称布置或者上下对称布置。
5.根据权利要求2所述的大电流IGBT芯片结构，其特征在于：周圈栅极总线(2-1)内部等间距地布置三条横向栅极总线(2-2)。
6.根据权利要求2所述的大电流IGBT芯片结构，其特征在于：周圈栅极总线(2-1)内部在纵向中心处布置一条纵向栅极总线(2-3)。
7.根据权利要求2所述的大电流IGBT芯片结构，其特征在于：发射极焊线区(3)为八个，对称布置。
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