[实用新型]一种基于siw的频带控制滤波器

权利要求书

1.一种基于siw的频带控制滤波器，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的内部开凿有放置槽，所述放置槽的内部设有滤波器本体，所述滤波器本体包括顶层金属箔(7)、中间介质层(8)，所述顶层金属箔(7)、中间介质层(8)和外壳(1)从上至下紧密贴合，所述顶层金属箔(7)的右侧和下方设有微带线(6)，所述中间介质层(8)上开凿有与微带线(6)相匹配的直线过渡结构凹槽(5)，所述顶层金属箔(7)、中间介质层(8)和外壳(1)上均开凿有第一金属通孔(9)，所述顶层金属箔(7)中间连接有中间层金属箔(3)，所述顶层金属箔(7)的上端开凿有微扰通孔(4)，所述微扰通孔(4)位于微带线(6)中间线上，且第一金属通孔(9)和微扰通孔(4)均贯穿顶层金属箔(7)、中间介质层(8)和外壳(1)紧密结合构成的结构，所述中间层金属箔(3)的上端开凿有第二金属通孔(2)，且第二金属通孔(2)连接顶层金属箔(7)，所述外壳(1)的上端开凿有多个螺纹孔，所述螺纹孔内螺纹连接有螺杆(10)，所述外壳(1)的上端开凿有多个均匀分布的散热孔(11)。

2.根据权利要求1所述的一种基于siw的频带控制滤波器，其特征在于：所述微带线(6)的外端固定连接有SMA接头。

3.根据权利要求1所述的一种基于siw的频带控制滤波器，其特征在于：所述微带线(6)均为50欧姆的SIW特性阻抗匹配微带线(6)。

4.根据权利要求1所述的一种基于siw的频带控制滤波器，其特征在于：所述第一金属通孔(9)、第二金属通孔(2)和微扰通孔(4)的直径均为0.4-0.5mm，所述两个相邻的第一金属通孔(9)之间的圆心距为1mm。

5.根据权利要求1所述的一种基于siw的频带控制滤波器，其特征在于：所述顶层金属箔(7)采用铜箔，所述中间介质层(8)采用Rogers RT/duroid5880(tm)材料且相对介电常数为2.2，所述中间介质层(8)的厚度为1.016mm，所有铜箔的厚度均为0.03mm。