[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成在所述第二导电型半导体层的表面，且设有呈阵列分布的多个第一开口部，露出所述第二导电型半导体层的一部分，该发光外延结构被该多个第一开口部所占据的面积比例为5%~40%；绝缘性反射层，形成在所述电流扩展层上，具有第一通孔及第二通孔，第一电极，位于所述绝缘性反射层之上，通过第一通孔与所述第一导电类型半导体层形成电性连接；第二电极，位于所述绝缘性反射层之上，通过第二通孔与所述第二导电类型半导体层形成电性连接。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种倒装型发光二极管。

背景技术

发光二极管（light emitting diode，简称LED）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，尤其其中的倒装LED芯片具有免打线、高光效、散热性好等优点，应用越来越广泛。

目前倒装型LED芯片通常采用电流扩展层（诸如ITO等导电金属氧化物）作为P型欧姆接触层，虽然经过高温熔合后具有较高的透过率，但仍然具有一定的损失，不利于芯片的亮度提升，而若不采用电流扩展层作为欧姆接触层，又难于实现P型半导体层的欧姆接触。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种发光二极管，保证与发光外延结构具有足够欧姆接触的同时，提升器件亮度。

上述发光二极管包括：发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成在所述第二导电型半导体层的表面，且设有呈阵列分布的多个第一开口部，露出所述第二导电型半导体层的一部分，该发光外延结构被该多个第一开口部所占据的面积比例为5%~40%；绝缘性反射层，形成在所述电流扩展层上和该电流扩展层的所述第一开口部内，具有第一通孔及第二通孔，第一电极，位于所述绝缘性反射层之上，通过第一通孔与所述第一导电型半导体层形成电性连接；第二电极，位于所述绝缘性反射层之上，通过第二通孔与所述第二导电型半导体层形成电性连接。

优选地，所述第一开口部的直径为2~50μm。在一些实施例中，该发光二极管为微小尺寸LED芯片，例如该LED芯片的截面积可以为62500μm²以下，该第一开口的直径可以为2~5μm；在一些实施例，该发光二有管为中、大尺寸LED芯片，例如该LED芯片的截面积可以为90000μm²以上，该第一开口的直径可以为2~5μm，或者5~10μm，或者10~20μm，或者20μm以上。较佳的，该第一开口部分的直径优选为2~20μm，可以较好的兼顾VF（电压）和LOP（亮度）。

优选地，相邻的第一开口部之间的间距为1~20μm。

优选地，该发光外延结构被该电流扩展层占据的面积比例大于50%且小于95%。

在一些实施例中：所述绝缘性反射层包括布拉格反射层，例中可以由高、低折射率的透光性材料交替堆叠而成。

优选的，所述绝缘性反射层覆盖所述发光外延结构的侧壁。

在一些实施例中，所述反射层包含金属层包括金属反射层和金属阻挡层。

进一步地，该发光二极管还包括局部缺陷区，位于部分所述第二导电型半导体层上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有发光外延结构侧壁。

在一些实施例中，第一电极通过所述第一通孔电连接所述第一导电型半导体层，且所述第一电极横跨于所述绝缘性反射层的部分表面上；所述第二电极通过所述第二通孔结构电连接所述第二导电型半导体层，且所述第二电极横跨于所述绝缘性反射层的部分表面上。