[实用新型]IGBT流体散热器件有效
| 申请号： | 202020460859.1 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN212033006U | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 管军凯;秦明礼;石磊;鲁慧峰;何庆;王月隆 | 申请（专利权）人： | 厦门钜瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L29/739 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361003 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 流体 散热 器件 | ||
1.一种IGBT流体散热器件，其特征在于，包括：
氮化铝陶瓷散热单元，包括中空管道以及流经所述中空管道的冷却液介质；
铜金属焊接层，间隔设置于所述中空管道的外表面；
IGBT芯片，通过焊层焊接于所述铜金属焊接层远离所述中空管道的表面；
第一引线，焊接于所述IGBT芯片以及所述铜金属焊接层之间；
氮化铝导热树脂层，覆盖于所述铜金属焊接层、所述IGBT芯片以及所述第一引线上；
封装层，封装于所述氮化铝导热树脂层的外表面；
第二引线，其一端焊接于所述铜金属焊接层上，另一端从所述封装层中引出。
2.如权利要求1所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，包括多个IGBT芯片，分别通过焊层焊接于多个间隔设置的所述铜金属焊接层上。
3.如权利要求1所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，所述第二引线的另一端通过固定件固定于所述封装层的外表面。
4.如权利要求1所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，所述氮化铝陶瓷散热单元通过注射成形工艺形成。
5.如权利要求1所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，所述铜金属焊接层的厚度为0.25mm。
6.如权利要求1所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，所述氮化铝导热树脂层的厚度为6mm。
7.如权利要求1所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，所述封装层的材料为环氧树脂。
8.如权利要求7所述的IGBT流体散热器件，其特征在于，所述环氧树脂的厚度为7mm。
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