[实用新型]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

具有第一主体的第一裸片，所述第一主体包括无源区域和有源区域；

第一接触垫，暴露于所述第一主体的表面，所述第一接触垫被配置为连接到第一电源电压；

第二接触垫，暴露于所述第一主体的所述表面，所述第二接触垫被配置为连接到第二电源电压或接地；

第一电荷敏感电路系统，被形成在所述第一主体中并且耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及

第一RC钳位器，被形成在所述第一主体中并且耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间，所述第一RC钳位器包括：

至少两个BigFET，耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及

触发器电路系统，与所述至少两个BigFET的栅极端子并联耦合。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一主体包括：

多个FEOL层，包括氧化物层，所述氧化物层形成所述至少两个BigFET中的第一BigFET的栅极氧化物层。

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：

第二裸片，具有在RC钳位器中的BigFET，所述第二裸片的所述RC钳位器的BigFET的氧化物栅极层比所述第一裸片的所述第一BigFET的所述栅极氧化物层更厚。

4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二裸片的所述氧化物栅极层的厚度是所述第一裸片的所述第一BigFET的所述栅极氧化物层厚度的至少两倍。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：

扩散防护环，将至少两个BigFET中的第一BigFET与至少两个BigFET的第二BigFET分离。

6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其特征在于，将分离所述第一BigFET的所述扩散防护环形成环绕所述第一BigFET的防护环的一部分。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：

具有第二主体的第二裸片，所述第二主体包括无源区域和有源区域，所述第二主体的所述有源区域耦合至所述第一主体的所述有源区域；

第一接触垫，暴露于所述第二主体的表面，并且机械且电耦合至所述第一主体的所述第一接触垫；

第二接触垫，暴露于所述第二主体的所述表面，并且机械且电耦合至所述第一主体的所述第二接触垫；

第二电荷敏感电路系统，被形成在所述第二主体中，并且耦合在暴露于所述第二裸片的所述表面上的所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及

第二RC钳位器，被形成在所述第二主体中，并且耦合在所述第二裸片的所述第一接触垫和所述第二接触垫之间。

8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二RC钳位器包括：

单个BigFET。

9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二RC钳位器的所述单个BigFET的栅极氧化物层比所述第一RC钳位器的栅极氧化物层更厚。

10.根据权利要求8所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：

在其上安装所述第二裸片的衬底，所述第二裸片具有通孔，所述通孔将所述衬底的电路系统通过穿过所述第二裸片所形成的通孔，耦合至所述第一裸片的所述第一接触垫和所述第二接触垫。