[实用新型]一种基于阻容降压电源的可控硅控制电路有效

专利信息
申请号: 202020474037.9 申请日: 2020-04-03
公开(公告)号: CN211577705U 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 陈明;王红亚 申请(专利权)人: 浙江卓奥科技股份有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 姚娟英;邓青玲
地址: 315327 浙江省宁波市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 降压 电源 可控硅 控制电路
【权利要求书】:

1.一种基于阻容降压电源的可控硅控制电路,包括能将市电中的交流电源转换为第一直流电源(-VCC)和第二直流电源(VDD)的阻容降压全波整流电路,及与阻容降压全波整流电路电连接的用于对可控硅(TR1)进行控制的控制电路,其特征在于:所述控制电路包括MCU单片机、二极管(D2)、PNP三极管(Q1)、NPN三极管(Q2)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电路(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)和第十电阻(R10),其中可控硅(TR1)的第一相位与市电的火线连接,可控硅(TR1)的第三相位与第五电阻(R5)的第一端连接,第五电阻(R5)的第二端与二极管(D2)的负极连接,二极管(D2)的正极与PNP三极管(Q1)的集电极连接,PNP三极管(Q1)的发射极与阻容降压全波整流电路输出的第二直流电源(VDD)连接,PNP三极管(Q1)的基极与第六电阻(R6)的第一端连接,第六电阻(R6)的第二端与MCU单片机的IO口连接,第八电阻(R8)的第一端与PNP三极管(Q1)的基极连接,第八电阻(R8)的第二端与阻容降压全波整流电路输出的第二直流电源(VDD)连接,第九电阻(R9)的第一端与第五电阻(R5)的第一端连接,第九电阻(R9)的第二端与NPN三极管(Q2)的集电极连接,NPN三极管(Q2)的基极与第七电路(R7)的第一端连接,第七电路(R7)的第二端与PNP三极管(Q1)的集电极连接,第十电阻(R10)的第一端与NPN三极管(Q2)的基极连接,第十电阻(R10)的第二端与阻容降压全波整流电路输出的第一直流电源(-VCC)连接,NPN三极管(Q2)的发射极也与阻容降压全波整流电路输出的第一直流电源(-VCC)连接;MCU单片机的供电端口与阻容降压全波整流电路输出的第二直流电源(VDD)连接。

2.根据权利要求1所述的基于阻容降压电源的可控硅控制电路,其特征在于:所述阻容降压全波整流电路包括第一安规电容(CX1)、第二安规电容(CX2)、第一电容(E1)、第二电容(E2)、电容(C1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电路(R3)、第四电阻(R4)、整流桥(D1)、第一二极管(ZD1)和和第二二极管(ZD2),第一安规电容(CX1)的两端分别与市电的火线和零线连接,第二电阻(R2)的两端也分别与市电的火线和零线连接,第一电阻(R1)的第一端与电的零线连接,第一电阻(R1)的第二端与第三电路(R3)的第一端连接,第三电路(R3)的第二端与整流桥(D1)的第二交流电输入端连接,整流桥(D1)的第一交流电输入端与市电的火线连接,第二安规电容(CX2)的第一端与第一电阻(R1)的第一端连接,第二安规电容(CX2)的第二端与第一电阻(R1)的第二端连接;整流桥(D1)的直流电源负极输出端接地;整流桥(D1)的直流电源正极输出端输出的电压即为第二直流电源(VDD),整流桥(D1)的直流电源负极输出端输出的电压即为第一直流电源(-VCC);第四电阻(R4)的第一端与整流桥(D1)的直流电源正极输出端连接,第四电阻(R4)的第二端与整流桥(D1)的直流电源负极输出端连接;第一电容(E1)的正极与整流桥(D1)的直流电源正极输出端连接,第一电容(E1)的负极与整流桥(D1)的直流电源负极输出端连接;第一二极管(ZD1)的负极与整流桥(D1)的直流电源正极输出端连接,第一二极管(ZD1)的正极与第二二极管(ZD2)的负极连接,第二二极管(ZD2)的正极与整流桥(D1)的直流电源负极输出端连接;第二电容(E2)的正极与第一二极管(ZD1)的正极连接,第二电容(E2)的负极接地;电容(C1)的第一端与第一二极管(ZD1)的正极连接,电容(C1)的第二端接地。

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