[实用新型]用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置有效
| 申请号： | 202020478077.0 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN211872143U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王利伟;尹嘉琦;李万朋;滕野;陈召彬 | 申请（专利权）人： | 大连连城数控机器股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李洪福 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市甘井子区营城*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提高 直拉单晶 生长 速度 热辐射 反射 装置 | ||
1.一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。
2.根据权利要求1所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述反射面是由母线围绕所述炉盖的轴线旋转一周形成，且所述反射面的外径从反射面的底部至所述反射面的顶部依次增大。
3.根据权利要求2所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述母线为直线或折线或曲线或直线与曲线的组合或折线与曲线的组合。
4.根据权利要求2所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述母线的底部与所述炉盖的轴线之间的夹角为10°～80°。
5.根据权利要求4所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述母线的底部与所述炉盖的轴线之间的夹角为30°～60°。
6.根据权利要求1～5任一权利要求所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述反射装置包括反射环，所述反射环的外表面与所述反射面相匹配。
7.根据权利要求6所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述反射环的顶部外沿具有用于与所述炉盖连接的连接端。
8.根据权利要求6所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述炉盖上观测孔与所述炉盖的轴线的距离大于所述反射面顶部至所述炉盖的轴线的距离。
9.根据权利要求6所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述反射环内具有夹层，且所述夹层内设有循环水。
10.根据权利要求6所述的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，其特征在于：
所述炉盖上观测孔与所述炉盖的轴线的距离小于所述反射面顶部至所述炉盖的轴线的距离，且所述反射面上加工有与所述观测孔相匹配的通孔。
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