[实用新型]一种MOSFET封装结构

说明书

本实用新型提供一种MOSFET封装结构，该封装结构包括有芯片、芯片载体、引脚部和壳体，所述芯片固定设置在芯片载体上，所述引脚部上设置有复数根压焊线，所述引脚部通过复数根压焊线与芯片连接，所述芯片、芯片载体和引脚部均固定设置在壳体内，其特征在于，所述芯片载体包括有固定连接的芯片载体主体和漏极部，所述芯片固定设置在芯片载体主体上，所述引脚部包括有栅极部和源极部，且所述栅极部和源极部为非对称式结构。上述栅极部和源极部为非对称式结构的设置，使得该封装结构的栅极部和源极部上面的压焊线更加合理的分布，使得该封装结构的内部构造更加合理。

技术领域

本实用新型属于半导体器件领域，特别涉及到了一种MOSFET结构。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管 (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET 依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS 等。但是现有的MOSFET封装DFN3.3*3.3和DFN5*6的功率热阻散热面积分别为：7m㎡和14m㎡。而在中间缺少了功率热阻散热面积为11m㎡的MOSFET 封装结构。且现有的MOSFET封装结构的内部栅极和源极的结构设置任存在不足。

如专利申请号为“CN201520431392.7”是对比文件1一种超薄的MOSFET 封装结构，包括MOSFET晶圆，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧壁呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧面铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。该对比文件1的封装结构工艺简单，可进行晶圆级加工，效率高，周期短，封装的整体厚度可以降低到很薄，封装的体积比较小。但是该对比文件仍然没有解决上述问题。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种封装结构的内部构造更加合理的一种MOSFET封装结构。

本实用新型的另一个目的在于提供一种更加方便合理的分配的压焊线的一种MOSFET封装结构。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下。

本实用新型提供一种MOSFET封装结构，该封装结构包括有芯片、芯片载体、引脚部和壳体，所述芯片固定设置在芯片载体上，所述引脚部上设置有复数根压焊线，所述引脚部通过复数根压焊线与芯片连接，所述芯片、芯片载体和引脚部均固定设置在壳体内，其特征在于，所述芯片载体包括有固定连接的芯片载体主体和漏极部，所述芯片固定设置在芯片载体主体上，所述引脚部包括有栅极部和源极部，且所述栅极部和源极部为非对称式结构。上述栅极部和源极部即为该结构的栅极和源极，上述栅极部和源极部为非对称式结构的设置，使得该封装结构的栅极部和源极部上面的压焊线更加合理的分布，使得该封装结构的内部构造更加合理，上述漏极部即为该MOSFET的漏极，上述引脚部采用打线的方式与芯片连接，而压焊线即为打线过程所生成金属线。上述芯片为现有技术，即能够安装在本实用新型所描述的芯片载体上即可。