[实用新型]一种缓启动控制电路有效
申请号: | 202020488546.7 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN212137630U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 雷雄;刘品;李孟琦;薛建军 | 申请(专利权)人: | 新华三信息安全技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/28 | 分类号: | H03K17/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230001 安徽省合肥市合肥市高新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 启动 控制电路 | ||
1.一种缓启动控制电路,其特征在于,包括:
第一电阻的第一端以及第二电阻的第一端连接系统电源的输出端;
所述第一电阻的第二端连接稳压二极管的负极;
所述稳压二极管的正极连接至第三电阻的第一端以及PMOS管的栅极;
所述第三电阻的第二端以及所述PMOS管的漏极通过导线接地;
所述PMOS管的源极、所述第二电阻的第二端、第四电阻的第一端以及电容的第一端连接至缓启动芯片的使能管脚;
所述第四电阻的第二端以及所述电容的第二端通过导线接地。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述PMOS管的导通电压的绝对值小于所述缓启动芯片的使能管脚的最低电压门限值。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一电阻和第三电阻的阻值要小于第二电阻和第四电阻的阻值。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述系统电源输出端的电压上升时,所述稳压二极管的正极与所述第三电阻的第一端以及PMOS管的栅极连接处的第一连接点电压上升快,所述PMOS管的源极、所述第二电阻的第二端、第四电阻的第一端以及电容C的第一端连接处的第二连接点的电压上升慢,所述PMOS管不导通。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述PMOS管的源极、所述第二电阻的第二端、第四电阻的第一端以及电容C的第一端的连接处的所述第二连接点的电压上升至所述缓启动芯片的使能管脚的电压门限时,使所述缓启动芯片工作。
6.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述系统电源输出端的电压下降时,所述稳压二极管的正极与所述第三电阻的第一端以及PMOS管的栅极的连接处的所述第一连接点的电压下降快,所述PMOS管的源极、所述第二电阻的第二端、第四电阻的第一端以及电容的第一端的连接处的所述第二连接点的电压下降慢;
当所述第一连接点与所述第二连接点的压差等于所述PMOS管的导通电压时,所述PMOS管打开,所述第二连接点的电压被泄放,使所述缓启动芯片关闭。
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