[实用新型]晶片研磨加工装置

权利要求书

1.晶片研磨加工装置，包括工作台(1)，其特征在于：所述工作台(1)的上方壁面设置有清洗箱(2)，所述清洗箱(2)的上方壁面开设有有孔槽(3)，所述清洗箱(2)的内部设置有压块(4)，所述压块(4)的上方壁面开设有晶片槽(5)，所述压块(4)的上方壁面开设有有出水槽(6)，位于所述工作台(1)的内部的压块(4)的下方壁面固定安装有挡板(7)，所述工作台(1)的上方壁面左右两端均设置有支撑杆(8)，且支撑杆(8)总共有两组，两组所述支撑杆(8)的外圆处均固定安装有固定块(9)，两组所述支撑杆(8)的外圆处固定安装有弹簧(10)，两组所述支撑杆(8)的外圆处均活动连接有移动块(11)，所述移动块(11)的前方壁面固定安装有固定箱(12)，所述固定箱(12)的前方壁面固定安装有握块(13)，所述固定箱(12)的上方壁面通过活动轴固定安装有转轴(14)，所述转轴(14)的上端固定安装有电机(15)，位于所述固定箱(12)下端的转轴(14)的下方壁面固定安装有挤块(16)，所述挤块(16)的下方壁面设有孔槽二(17)，所述孔槽二(17)总共有两组，两组所述孔槽二(17)的内部上方壁面均固定安装有弹簧二(18)，两组所述弹簧二(18)的下端均固定安装有挡块二(19)，两组所述挡块二(19)的下方壁面固定安装有收缩块(20)，位于所述挤块(16)下方壁面的转轴(14)的下端通过活动轴固定安装有打磨头(21)。

2.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：所述压块(4)贯穿所述孔槽(3)且一直延伸至所述工作台(1)的内部。

3.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：四组所述出水槽(6)的下端均贯穿所述压块(4)的上方壁面且一直延伸至所述挡板(7)的下方壁面与工作台(1)的内部相通。

4.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：两组所述弹簧(10)的下端与两组所述固定块(9)的上方壁面活动连接。

5.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：所述转轴(14)贯穿所述固定箱(12)的上方壁面且一直延伸至所述固定箱(12)的下方壁面。

6.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：位于所述固定箱(12)下端的转轴(14)的下方壁面贯穿所述挤块(16)的上方壁面且一直延伸至所述挤块(16)的下方壁面。