[实用新型]一种全介质透射型超表面全相位调控器

权利要求书

1.一种全介质透射型超表面全相位调控器，其特征在于，包括基底、涂层和周期性排列粒子；

所述涂层与所述基底固定连接，并位于所述基底的一侧，所述周期性排列粒子与所述基底固定连接，并位于所述涂层的内部；

所述周期性排列粒子包括水平臂和竖直臂，所述水平臂和所述竖直臂与所述基底固定连接，并位于所述涂层内部，所述竖直臂的一端与所述水平臂固定连接，并另一端朝向远离所述水平臂的方向，且呈T字型。

2.如权利要求1所述的全介质透射型超表面全相位调控器，其特征在于，

所述水平臂和所述竖直臂的材质为GaAs，所述涂层材质为BaF₂，所述基底的材质为SiO₂。

3.如权利要求2所述的全介质透射型超表面全相位调控器，其特征在于，

所述涂层的厚度为h₁＝500nm，所述基底的厚度为h₂＝200nm，所述水平臂和所述竖直臂的厚度相同，为h₃＝400nm，所述水平臂的宽度为w_x＝140nm，所述竖直臂的宽度为w_y＝150nm，长度为l_y＝250nm。

4.如权利要求3所述的全介质透射型超表面全相位调控器，其特征在于，

所述水平臂的长度为l_x＝510nm。

5.如权利要求4所述的全介质透射型超表面全相位调控器，其特征在于，

所述水平臂和所述竖直臂的周期为P_x＝P_y＝1000nm。

6.如权利要求1所述的全介质透射型超表面全相位调控器，其特征在于，

所述全介质透射型超表面全相位调控器的工作波长为1400～1600nm。