[实用新型]一种芯片植球装置有效
申请号: | 202020493906.2 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN211828687U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 赵腾俊;刘欣 | 申请(专利权)人: | 海太半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 装置 | ||
本实用新型的目的在于,提供一种芯片植球装置,去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂,可以将锡球均匀加热熔融,并吸附至铜纤维上;一种植球装置,包括:基座1和栅格顶板2;所述基座1包括底板11和放置台12,所述放置台12设置在所述底板11上;所述放置台12包括有与所述栅格顶板2配合的凸起121,所述放置台12还包括有夹取缺口122;所述栅格顶板2设置有与放置台12上的凸起121配合的凹槽21;还设置有导流槽22;本实用新型的有益效果为:去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂,可以将锡球均匀加热熔融,并吸附至铜纤维上。
技术领域
本实用新型关于芯片植球技术,具体的讲是一种芯片植球装置。
背景技术
现今生产的细间距球栅阵列芯片(以下简称芯片)在面临拆解分析或维修时,没有稳定有效的方式进行重新植球。由于从模组上拆解下的芯片球不再完整,需要重新植球才能恢复使用。现有的植球方式为人工将锡球放置与需要的点位,此方法成功率过低,作业时间也过长。
已公开中国实用新型专利,公开号:CN103855041B,专利名称:一种芯片植球装置及方法,申请日:20121206,其公开了一种芯片植球装置及方法,该芯片植球装置包括:上壳体、钢网及下壳体;下壳体设有用于容置所述上壳体和钢网的壳体定位槽,壳体定位槽底部设有用于放置芯片的芯片定位槽;上壳体设有芯片刮锡槽;钢网设置于所述上壳体与下壳体之间,钢网具有弧面并设有多个钢网圆孔。本发明不采用成品锡球,而是利用在钢网上刮锡膏的方式,采用本方案综合成本低、置球效率高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种芯片植球装置,去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂,可以将锡球均匀加热熔融,并吸附至铜纤维上。
一种植球装置,包括:基座1和栅格顶板2;
所述基座1包括底板11和放置台12,所述放置台12设置在所述底板11上;所述放置台12包括有与所述栅格顶板2配合的凸起121,所述放置台12还包括有夹取缺口122;
所述栅格顶板2设置有与放置台12上的凸起121配合的凹槽21;还设置有导流槽22。
本实用新型的有益效果为:去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂,可以将锡球均匀加热熔融,并吸附至铜纤维上。以此可以确保芯片基板的光滑平整,为后续统一植球做好准备。
开发并制造植球治具,治具顶板上设有与芯片锡球形状,分布一致的通孔及凹槽。将芯片需要植球的面朝上放置在治具基座上之后,将顶板扣于基板上,固定好,将锡球倒入顶板凹槽中,锡球会从顶板栅格通孔中自动置于芯片接触点上。
将锡球已经放置妥当的芯片放置到加热台上,由于加热台是缓慢加热,半熔融状态的锡球与芯片通过金属的分子键力会将锡球精准得拉至锡球点位。若在熔融过程中,锡球发生错位,可及时将锡球全部擦除,不会产生残留或损坏。
附图说明
图1为基座结构俯视图;
图2为基座主视图;
图3为栅格结构示意图;
图中,
1、基座,11、底板,12、放置台,121、凸起,122、夹取缺口;2、栅格顶板,21、凹槽,22、导流槽。
具体实施方式
下面结合附图对本实用进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。
本实用新型提供一种植球装置,包括:基座1和栅格顶板2;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造