[实用新型]一种GaSbx

权利要求书

1.一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，包括Ge衬底(1)，其特征在于：所述Ge衬底(1)上依此设置有GaInP成核层(2)、GaInAs缓冲层(3)、GaAs隧穿结层(4)、GaSbAs缓冲层(5)、中电池(6)、GaInP/AlGaAs隧穿结层(7)、顶电池(8)和欧姆接触层(9)，所述GaSbAs缓冲层(5)由五层组分递变GaSb_xAs_(1-x)缓冲层结构组成，厚度分别为0.2、0.2、0.3、0.5、0.1μm。

2.根据权利要求1所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述中电池(6)包括GaInAs/AlGaInAs(DBR)反射层(61)和GaInP背面场层(62)、GaSbAs基区层(63)、GaSbAs发射区层(64)和n-AlInP窗口层(65)，所述GaInP背面场层(62)位于GaInAs/AlGaInAs(DBR)反射层(61)上方，所述GaSbAs基区层(63)位于GaInP背面场层(62)上方，所述GaSbAs发射区层(64)位于GaSbAs基区层(63)上方，所述n-AlInP窗口层(65)位于GaSbAs发射区层(64)上方。

3.根据权利要求1所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述顶电池(8)包括AlGaInP背面场层(81)、GaInP基区层(82)、GaInP发射区层(83)和AlInP窗口层(84)，所述GaInP基区层(82)位于AlGaInP背面场层(81)上方，所述GaInP发射区层(83)位于GaInP基区层(82)上方，所述AlInP窗口层(84)位于GaInP发射区层(83)上方。

4.根据权利要求1所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述GaInP成核层(2)厚度为0.01～0.05μm,所述GaInAs 缓冲层(3)厚度为0.2～1μm，所述GaAs隧穿结层(4)厚度为0.02～0.1μm。

5.根据权利要求1或2所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述GaInAs/AlGaInAs(DBR)反射层(61)厚度为1～2μm，所述GaInP背面场层(62)厚度为0.1～0.2μm，所述GaSbAs基区层(63)厚度为1.5～3μm，所述GaSbAs发射区层(64)厚度为0.05～0.2μm，所述n-AlInP窗口层(65)厚度为0.05～0.2μm。

6.根据权利要求1所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述GaInP/AlGaAs隧穿结层(7)包括GaInP层(71)和AlGaAs层(72)，所述GaInP层(71)厚度为0.01～0.05μm，所述AlGaAs层(72)厚度为0.01～0.05μm。

7.根据权利要求3所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述AlGaInP背面场层(81)厚度为0.05～0.2μm,所述GaInP基区层(82)厚度为0.5～1.5μm,所述GaInP发射区层(83)厚度为0.05～0.2μm，所述AlInP窗口层(84)厚度为0.05～0.2μm。

8.根据权利要求1所述的一种GaSb_xAs_(1-x)空间电池外延片，其特征在于：所述GaAs欧姆接触层(9)厚度为0.2～1μm。