[实用新型]用于等离子室的边缘环

说明书

本实用新型提供一种用于等离子室的边缘环，所述边缘环被配置为沿衬底支撑件的外围放置。所述边缘环的顶部包括：内部台阶区域；倾斜区域；外部弯曲区域；具有顶部环形表面的中间顶部区域。所述中间顶部区域在所述外部弯曲区域和所述倾斜区域之间延伸。所述倾斜区域具有环状的成角度的表面并且设置在所述中间顶部区域和所述内部台阶区域之间。所述边缘环的底部包括底部环形表面，所述底部环形表面具有从所述底部环形表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。

技术领域

本实用新型涉及一种用于等离子体处理模块的具有螺钉插孔件 (screw insert)的边缘环。

背景技术

在处理半导体衬底中使用的典型衬底处理系统包括用于传送和存储衬底的衬底存储盒[也称为“衬底存储站”或前开式晶圆传送盒 (FOUP)]、接合在FOUP与一个或多个负载锁定室(也称为“气闸”)的第一侧之间的设备前端模块(EFEM)、耦合到一个或多个气闸的第二侧的真空传输模块，以及耦合到真空传输模块的一个或多个处理模块。每个处理模块用于执行特定的制造操作，例如清洁操作、沉积、蚀刻操作、漂洗操作、干燥操作等。使用凝胶将处理模块的某些硬件部件与处理模块的其他硬件部件粘合在一起。在制造操作过程中，一些凝胶随着时间的流逝而磨损。随着凝胶的磨损，两个硬件部件之间的粘附力减小。当粘附力减小时，硬件部件在制造操作过程中偏移。这导致制造操作的不良结果。

在此上下文中，出现了本实用新型的实施方案。

实用新型内容

公开了一种用于等离子体室的边缘环，所述边缘环被配置为沿衬底支撑件的外围放置，所述边缘环的特征在于，所述边缘环的顶部包括内部台阶区域；倾斜区域；外部弯曲区域；具有顶部环形表面的中间顶部区域，其中所述中间顶部区域在所述外部弯曲区域和所述倾斜区域之间延伸，其中所述倾斜区域具有环状的成角度的表面并且设置在所述中间顶部区域和所述内部台阶区域之间；以及所述边缘环的底部包括底部环形表面，所述底部环形表面具有从所述底部环形表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。

附图说明

图1是根据本实用新型的用于半导体处理模块的具有螺钉插孔件的边缘环的俯视立体图；

图2是其俯视图；

图3是其仰视立体图；

图4是其仰视图；

图5是其侧视图；

图6是沿图4的仰视图的截面截取的截面侧视图；

图7是图6的一部分视图(通过图6中的虚线矩形所示)的放大的截面侧视图；

图8是图6和7的一部分视图(通过图6中的虚线圆形所示)的放大的截面侧视图。

具体实施方式

图1示出了用于半导体处理模块的边缘环100的俯视立体图，该半导体处理模块是等离子体室。边缘环100被配置为沿衬底支撑件的外围设置，使得当将衬底被容纳在半导体处理模块中时，边缘环 100位于紧邻衬底的边缘的位置。在一实施方案中，衬底支撑件是卡盘。在一实施方案中，边缘环100是可调环或可替换环，并且包括沿衬底的外围延伸的顶部环形表面102。顶部环形表面102是面向等离子体的表面。

图2是边缘环100的俯视图。顶部环形表面102在图2中可见，并且在顶部环形表面102的内边缘202和外边缘204之间延伸。外边缘204是环状的；以及除了其笔直部分206，内边缘202是环状的。在一实施方案中，内边缘202的直径为11.7英寸，而外边缘204 的直径为14.1英寸。此外，在一实施方案中，内边缘202的部分206 与边缘环100的质心之间的水平距离为5.8英寸。

图3是边缘环100的仰视立体图。边缘环100具有底部环形表面302。