[实用新型]一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构

权利要求书

1.一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，包括电池片（1），所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜（2）、氮化硅膜（3）、低折射率氮氧化硅膜（4）、氧化硅膜（5），其特征在于：所述氮化硅膜（3）包括下层氮化硅膜（31）、中层氮化硅膜（32）、上层氮化硅膜（33），其中，各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚；各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：所述氮化硅膜（3）的总膜厚为26至38纳米，所述氮化硅膜（3）的总折射率为2.10至2.20。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：高折射率氮氧化硅膜层（2）的厚度为3至7纳米、折射率为2.5至2.3。

4.根据权利要求3所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：低折射率氮氧化硅膜层（4）的厚度为20至30纳米、折射率为1.9至2.1。

5.根据权利要求4所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：氧化硅膜（5）的厚度的厚度为13至20纳米、折射率为1.4至1.6。

6.根据权利要求5所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：高折氮氧化硅膜（2）、氮化硅膜（3）、低折氮氧化硅膜（4）和氧化硅膜（5）相加的总膜厚为62纳米至95纳米，折射率为1.85至2.10，膜色为暗蓝色。