[实用新型]谐振结构和滤波器件

说明书

本申请提供的谐振结构和滤波器件，涉及电子器件技术领域。其中，谐振结构包括：屏蔽组件，该屏蔽组件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；谐振组件，该谐振组件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于第一屏蔽层和第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接，该谐振盘与该第二屏蔽层形成第一电容；调谐组件，该调谐组件位于谐振盘与第一屏蔽层之间，且与谐振柱连接，用于与第二屏蔽层形成第二电容。基于上述设置，可以改善现有技术中谐振结构的谐振频率难以有效降低的问题。

技术领域

本申请涉及电子器件技术领域，具体而言，涉及一种谐振结构和滤波器件。

背景技术

在电子器件技术领域中，器件(特别是一些精密器件，如毫米波滤波器)的小型化尤为重要。其中，滤波器件一般由谐振结构构成，使得谐振结构的体积决定了滤波器件的体积。因而，现有技术中一般是通过减小谐振结构的体积，使得滤波器件可以进行小型化处理。

经发明人研究发现，现有技术中，为了使得谐振结构的体积可以较小，会导致谐振结构的谐振频率难以有效降低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种谐振结构和滤波器件，以改善现有技术中谐振结构的谐振频率难以有效降低的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种谐振结构，包括：

屏蔽组件，该屏蔽组件包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，该第一屏蔽层和该第二屏蔽层相对且间隔设置；

谐振组件，该谐振组件包括谐振柱和与该谐振柱连接的谐振盘，该谐振柱位于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，且与该第一屏蔽层连接，该谐振盘与该第二屏蔽层形成第一电容；

调谐组件，该调谐组件位于所述谐振盘与所述第一屏蔽层之间，且与所述谐振柱连接，用于与所述第二屏蔽层形成第二电容。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件与所述谐振盘平行设置，且该谐振盘与所述第二屏蔽层平行设置。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件在垂直于该调谐组件的方向上的投影与所述谐振盘在该方向上的投影重合，且被所述第二屏蔽层在该方向上的投影覆盖。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件为多个，多个所述调谐组件平行设置，且间隔分布于所述谐振盘与所述第一屏蔽层之间。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述调谐组件与所述谐振盘之间的距离为第一距离，该谐振盘与所述第二屏蔽层之间的距离为第二距离，该第一距离等于该第二距离。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述谐振柱沿垂直于所述谐振盘的方向延伸设置，且垂直于所述第一屏蔽层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述谐振柱的一端与所述第一屏蔽层连接、另一端沿靠近所述第二屏蔽层的方向延伸，且穿过所述调谐组件后延伸至所述谐振盘，并与该谐振盘远离所述第二屏蔽层的一侧连接。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层、所述谐振柱、所述谐振盘和所述调谐组件，为金属结构。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述谐振结构中，述屏蔽组件还包括多个屏蔽柱，所述多个屏蔽柱间隔设置于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间，以围合形成容纳空间，用于对位于该容纳空间的所述谐振组件和所述调谐组件进行电磁屏蔽；

所述调谐组件包括第一调谐结构和第二调谐结构，该第一调谐结构与所述谐振柱连接，该第二调谐结构与所述屏蔽柱连接。

在上述基础上，本申请实施例还提供了一种滤波器件，包括：