[实用新型]微波等离子体薄膜沉积装置有效
申请号: | 202020534442.5 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN212270234U | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 王群;卫博;唐章宏;王明连;金鑫;李永卿 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/458 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张琪 |
地址: | 100022 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 等离子体 薄膜 沉积 装置 | ||
1.一种微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,包括反应体、等离子体激发锥体、薄膜沉积基台和多层微波源组件,所述反应体内设有微波谐振腔;每层所述微波源组件均包括多个微波激励源,多个所述微波激励源沿所述反应体的周向分布于所述反应体的侧壁;所述等离子体激发锥体和所述薄膜沉积基台分别设置于所述反应体的两端,所述等离子体激发锥体的尖部朝向所述微波谐振腔内;所述等离子体激发锥体内设有进气流道,所述进气流道贯通至所述等离子体激发锥体的尖部。
2.根据权利要求1所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,所述薄膜沉积基台置于所述微波谐振腔内,所述薄膜沉积基台的台面朝向所述等离子体激发锥体的尖部;所述薄膜沉积基台的背面设有转杆,所述转杆用于带动所述薄膜沉积基台绕所述薄膜沉积基台的轴线转动微波谐振腔。
3.根据权利要求2所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,所述转杆的一端连接于所述薄膜沉积基台,所述转杆的另一端通过升降机构连接于所述反应体,以带动所述薄膜沉积基台沿所述微波谐振腔的轴向移动。
4.根据权利要求1所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,所述薄膜沉积基台的内部设有冷却液管以及温度传感器,所述冷却液管连接于位于所述反应体的外部的冷却液系统。
5.根据权利要求4所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,所述冷却液系统包括循环泵和冷却器,所述冷却液管、所述循环泵和所述冷却器依次相连,构成冷却循环回路;
还包括设于所述反应体的外部的温控器,所述温控器集成有温度比较器,所述温度比较器内预存有预设温度值,所述温度比较器的输入端电连接于所述温度传感器,所述温度比较器的输出端电连接于所述循环泵。
6.根据权利要求1所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,多层所述微波源组件沿所述微波谐振腔的轴向间隔分布,同一层所述微波源组件中的多个所述微波激励源的频率相等。
7.根据权利要求6所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,靠近所述等离子体激发锥体的微波激励源的频率大于靠近所述薄膜沉积基台的微波激励源的频率。
8.根据权利要求1所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,所述微波激励源包括矩形波导和微波馈源,所述矩形波导的一端连通于所述微波谐振腔,所述矩形波导的另一端连接于所述微波馈源,所述矩形波导用于将所述微波馈源产生的微波引导入所述微波谐振腔。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,还包括安装于所述反应体的侧壁的探针点火结构,所述探针点火结构的点火端伸入所述微波谐振腔内;每层所述微波源组件均对应设置有至少一个所述探针点火结构,所述探针点火结构的轴线与所述微波源组件位于同一平面内。
10.根据权利要求9所述的微波等离子体薄膜沉积装置,其特征在于,所述探针点火结构连接于所述反应体的侧壁,且所述探针点火结构可沿所述探针点火结构的轴向移动,以调节所述探针点火结构的点火端伸入所述微波谐振腔内的长度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的