[实用新型]一种基于前面场结构的空间电池外延片有效
申请号: | 202020535360.2 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN211957665U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/18;H01L31/0304 |
代理公司: | 南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙) 36135 | 代理人: | 喻莎 |
地址: | 330100 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 前面 结构 空间 电池 外延 | ||
1.一种基于前面场结构的空间电池外延片,包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第一隧穿结层(4)、反射层(5)、中电池(6)、第二隧穿结层(7)、顶电池(8)、欧姆接触层(9);其特征在于:所述中电池(6)包括第一背面场层(61)、第一基区层(62)、第一发射区层(63)、第一前面场层(64)、第一窗口层(65);所述顶电池包括第二背面场层(81)、第二基区层(82)、第二发射区层(83)、第二前面场层(84)、第二窗口层(85)。
2.根据权利要求1所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:所述中电池(6)的内部设置有第一背面场层(61),所述第一背面场层(61)的上方沉积有第一基区层(62),第一基区层(62)的上方沉积有第一发射区层(63),所述第一发射区层(63)的上方沉积有第一前面场层(64),所述第一前面场层(64)的上方沉积有第一窗口层(65)。
3.根据权利要求1所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:所述顶电池(8)的内部设置有第二背面场层(81),所述第二背面场层(81)的上方沉积有第二基区层(82),第二基区层(82)的上方沉积有第二发射区层(83),所述第二发射区层(83)的上方沉积有第二前面场层(84),所述第二前面场层(84)的上方沉积有第二窗口层(85)。
4.根据权利要求1或2所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:第一前面场层(64)材料为AlGaAs,且第一前面场层(64)的沉积厚度为0.05μm。
5.根据权利要求1或3所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:第二前面场层(84)材料为AlGaInP,且第二前面场层(84)的沉积厚度为0.05μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的