[实用新型]一种基于前面场结构的空间电池外延片有效

专利信息
申请号: 202020535360.2 申请日: 2020-04-13
公开(公告)号: CN211957665U 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 申请(专利权)人: 南昌凯迅光电有限公司
主分类号: H01L31/0735 分类号: H01L31/0735;H01L31/18;H01L31/0304
代理公司: 南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙) 36135 代理人: 喻莎
地址: 330100 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 前面 结构 空间 电池 外延
【权利要求书】:

1.一种基于前面场结构的空间电池外延片,包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第一隧穿结层(4)、反射层(5)、中电池(6)、第二隧穿结层(7)、顶电池(8)、欧姆接触层(9);其特征在于:所述中电池(6)包括第一背面场层(61)、第一基区层(62)、第一发射区层(63)、第一前面场层(64)、第一窗口层(65);所述顶电池包括第二背面场层(81)、第二基区层(82)、第二发射区层(83)、第二前面场层(84)、第二窗口层(85)。

2.根据权利要求1所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:所述中电池(6)的内部设置有第一背面场层(61),所述第一背面场层(61)的上方沉积有第一基区层(62),第一基区层(62)的上方沉积有第一发射区层(63),所述第一发射区层(63)的上方沉积有第一前面场层(64),所述第一前面场层(64)的上方沉积有第一窗口层(65)。

3.根据权利要求1所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:所述顶电池(8)的内部设置有第二背面场层(81),所述第二背面场层(81)的上方沉积有第二基区层(82),第二基区层(82)的上方沉积有第二发射区层(83),所述第二发射区层(83)的上方沉积有第二前面场层(84),所述第二前面场层(84)的上方沉积有第二窗口层(85)。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:第一前面场层(64)材料为AlGaAs,且第一前面场层(64)的沉积厚度为0.05μm。

5.根据权利要求1或3所述的一种基于前面场结构的空间电池外延片,其特征在于:第二前面场层(84)材料为AlGaInP,且第二前面场层(84)的沉积厚度为0.05μm。

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