[实用新型]氮化镓晶体管

权利要求书

1.一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

氮化镓沟道层，位于所述衬底上；

势垒层，位于所述氮化镓沟道层上；

第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述势垒层中；

反射层，位于所述势垒层上方，具有暴露所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的开口；

源电极与漏电极，位于所述势垒层上，分别与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触；

栅介质层，至少部分位于所述势垒层表面和所述反射层表面，并与所述势垒层和所述反射层接触；以及

栅电极，位于所述栅介质层上并与所述栅介质层接触，

其中，所述栅介质层与所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。

2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述反射层具有高于设定值的反射率，以便于阻挡激光射入所述势垒层中未被所述开口暴露的部分。

3.根据权利要求2所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源电极位于所述反射层的表面，并经由所述开口与所述第一掺杂区接触，

所述漏电极位于所述反射层的表面，并经由所述开口与所述第二掺杂区接触。

4.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源电极经所述第一掺杂区直接与所述势垒层形成欧姆接触；

所述漏电极经所述第二掺杂区直接与所述势垒层形成欧姆接触。

5.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其特征在于，还包括隔离层，位于所述势垒层与所述反射层之间，

其中，所述源电极、所述漏电极以及所述栅介质层穿过所述隔离层。

6.根据权利要求5所述的氮化镓晶体管，其特征在于，还包括通孔，穿过所述反射层与所述隔离层，

其中，所述栅介质层位于所述通孔内部与反射层的表面，所述栅电极位于所述栅介质层上。

7.根据权利要求6所述的氮化镓晶体管，其特征在于，还包括：

成核层，位于所述衬底上；以及

缓冲层，位于所述成核层表面，

其中，所述沟道层位于所述缓冲层表面。

8.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述反射层还作为钝化层。

9.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述反射层包括分布布拉格反射薄膜，具有交替堆叠的第一反射层与第二反射层，所述第一反射层的折射率大于所述第二反射层的折射率。

10.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述反射层的反射率不小于90％。

11.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述反射层的反射率大于97％。

12.根据权利要求9所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述第一反射层的折射率比所述第二反射层的折射率高0.5以上。

13.根据权利要求9所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述第一反射层与所述第二反射层的光学厚度为激光波长的1/4。

14.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述势垒层的厚度范围包括10至30纳米。

15.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的注入深度均包括所述势垒层厚度的0.5至2倍。

16.根据权利要求1-7任一所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的注入深度均与所述势垒层的厚度一致。