[实用新型]一种图形化外延生长的设备结构有效
申请号: | 202020541308.8 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN212476874U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 宣荣卫;吕俊 | 申请(专利权)人: | 艾华(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/56;C23C14/22;C23C14/58;H01L21/67;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人: | 刘刚 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 化外 生长 设备 结构 | ||
1.一种图形化外延生长的设备结构,包括真空腔室(4),其特征在于:所述真空腔室(4)一端设置有供气管(3),且所述供气管(3)与所述真空腔室(4)固定连接,所述供气管(3)远离所述真空腔室(4)一端设置有真空泵(2),且所述真空泵(2)与所述供气管(3)固定连接,所述真空腔室(4)外侧设置有激光窗口(5),且所述激光窗口(5)与所述真空腔室(4)固定连接,所述真空腔室(4)右上方设置有操作面板(1),且所述操作面板(1)与所述真空腔室(4)固定连接,所述真空腔室(4)内部底端设置有加热室(6),且所述加热室(6)与所述真空腔室(4)固定连接,所述加热室(6)上表面设置有加热台面(7),且所述加热台面(7)与所述加热室(6)固定连接,所述加热台面(7)上表面设置有晶圆(9),且所述晶圆(9)与所述加热台面(7)固定连接,所述真空腔室(4)内侧壁设置有聚光镜(8),且所述聚光镜(8)与所述真空腔室(4)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构,其特征在于:所述真空腔室(4)内部真空度可时时调控,调控的范围为零点一至一万帕。
3.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构,其特征在于:所述真空腔室(4)的内部设置有高纯度惰性气体或还原性气体,所述惰性气体为氮气或者氩气,所述还原性气体为氢气。
4.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构,其特征在于:所述供气管(3)内部设置前驱体,所述前驱体为一种或两种或多种气态化学品。
5.根据权利要求4所述的一种图形化外延生长的设备结构,其特征在于:所述驱体是两种以上化学品时,可根据需要同时或交替通入所述真空腔室(4)的内部。
6.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构,其特征在于:所述激光窗口(5)设置在所述晶圆(9)和振镜之间,所述激光窗口(5)的材料为高纯石英或玻璃或石英晶体或氟化钠晶体等,优选石英玻璃。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的