[实用新型]LED集成封装结构及显示器有效
| 申请号： | 202020544313.4 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN212209495U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李漫铁;周杰;罗国华;王旭东 | 申请（专利权）人： | 惠州雷曼光电科技有限公司;深圳雷曼光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/62;G09F9/33 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄鸿华 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 集成 封装 结构 显示器 | ||
1.一种LED集成封装结构，其特征在于，包括基板、焊盘、像素点、黑色遮蔽层及封装胶层；
所述基板包括正面，所述正面朝向显示方向设置；
所述焊盘设置于所述基板的正面；
所述像素点设置于所述焊盘并电连接所述焊盘；
所述黑色遮蔽层沿所述像素点的侧面分散设置并覆盖所述焊盘；
所述封装胶层设置于所述基板的正面并覆盖所述焊盘、所述像素点及所述黑色遮蔽层。
2.根据权利要求1所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述像素点包括LED芯片，所述黑色遮蔽层的厚度小于所述LED芯片的厚度。
3.根据权利要求1所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述像素点包括LED芯片，所述封装胶层的厚度大于所述LED芯片的厚度。
4.根据权利要求1所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述像素点的数量为多个，所述焊盘的数量对应所述像素点的数量，以使每一所述像素点设置于相应的所述焊盘。
5.根据权利要求1所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述黑色遮蔽层的表面积为所述基板的正面的表面积的20％～90％。
6.根据权利要求1所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述焊盘的横截面积大于所述像素点的横截面积。
7.根据权利要求1所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述封装胶层为无色透光层或黑色透光层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的LED集成封装结构，其特征在于，所述基板的正面设有黑色吸光层。
9.一种LED集成封装结构，其特征在于，包括基板、焊盘、像素点、封装胶层及黑色遮蔽层；
所述基板包括正面，所述正面朝向显示方向设置；
所述焊盘设置于所述基板的正面；
所述像素点设置于所述焊盘并电连接所述焊盘；
所述封装胶层设置于所述基板的正面并覆盖所述焊盘及所述像素点；
所述黑色遮蔽层设置于所述封装胶层，且所述黑色遮蔽层在所述基板上的正投影覆盖所述焊盘并露出所述像素点。
10.一种显示器，其特征在于，包括上述权利要求1至9中任一项所述的LED集成封装结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
