[实用新型]一种中心导体组件及环形器和隔离器

说明书

本实用新型涉及一种中心导体组件及环形器和隔离器，其中，中心导体组件，包括：依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，中心结导体位于上旋磁铁氧体和下旋磁铁氧体的中心位置，上旋磁铁氧体和下旋磁铁氧体相对齐；中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，连接引脚上设有连接孔。由于上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体与上旋磁铁氧体、下旋磁铁氧体之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能。

技术领域

本实用新型涉及通讯配件技术领域，特别涉及一种中心导体组件及环形器和隔离器。

背景技术

目前微波与射频通讯器件的环行器和隔离器领域，在量产过程中，需要由人工去进行组装，组装一致性差，生产效率低且成本较高，随着5G产品小型化和高性能发展趋势，以往的指标远远不能满足当今要求。旋磁铁氧体与中心结导体是环形器和隔离器中的重要部件，旋磁铁氧体与中心结导体通过胶粘的方式相连接，在胶粘的过程中操作人员易使中心结导体发生偏移，导致旋磁铁氧体与中心结导体的一致性较差，影响产品的性能。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种中心导体组件及环形器和隔离器，具有提高旋磁铁氧体与中心结导体的一致性的优点。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种中心导体组件，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，所述第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，所述连接引脚上设有连接孔。

实现上述技术方案，由于上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体与上旋磁铁氧体、下旋磁铁氧体之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能；进行熔接时，首先将中心结导体置于下旋磁铁氧体的中心位置，再通过高频熔接工艺将第一谐振体和第二谐振体熔接固定在下旋磁铁氧体上，此时中心结导体整体均匀的嵌入在下旋磁铁氧体上，而不会存在缝隙、裂痕和碎屑等缺陷，随后再将上旋磁铁氧体压扣在中心结导体上，并与下旋磁铁氧体保持对齐一致，再通过高频焊接工艺将中心结导体与上旋磁铁氧体焊接固定，从实现上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的熔接固定。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一谐振体的两侧还设有谐振扩展片。

实现上述技术方案，通过谐振扩展片提高了第一谐振体的性能。

作为本实用新型的一种优选方案，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的直径为4-30mm、厚度为0.4-1.5mm。

作为本实用新型的一种优选方案，所述中心结导体的厚度为0.1-0.3mm。

作为本实用新型的一种优选方案，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体上设有镀银层。

另一方面，本实用新型还提供一种环形器和隔离器，包括：

封装壳，所述封装壳上设有至少两个间隔设置的锁合槽，所述封装壳的端口处设有内螺纹；

设置在所述封装壳底部设有定位连接体，所述定位连接体上设有与所述锁合槽相对应的连接凸块，所述连接凸块嵌入所述锁合槽并延伸至所述封装壳外，所述连接凸块上穿插有接地针；

如上述任一技术方案所述的中心导体组件，所述接地针插入所述连接孔内；以及，