[实用新型]一种真空吸附装置有效
申请号: | 202020550210.9 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN211929459U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 刘普然;陈志刚;李青桦 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 吸附 装置 | ||
1.一种真空吸附装置,用于对基底的第一表面进行吸附固定,所述基底的第一表面包括去边层和结构层,所述去边层环绕在所述结构层的外周围,所述去边层为所述基底的第一表面的边缘部分经过去边处理形成;其特征在于,所述真空吸附装置包括:
基座,所述基座具有第一区域和第二区域,所述第二区域环绕在所述第一区域的外周围;
第一支撑组件,设置在所述基座的第一区域上,用于在所述结构层的位置吸附所述基底的第一表面;
第二支撑组件,设置在所述基座的第二区域上,用于在所述去边层的位置吸附所述基底的第一表面,并且所述第二支撑组件的支撑面高于所述第一支撑组件的支撑面;
并且,所述第二支撑组件在所述第二区域内沿第一方向可移动,所述第一方向为靠近或远离所述基座的中心的方向。
2.根据权利要求1所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述第二支撑组件包括支撑块、滑块以及第一真空管路;
所述支撑块设置在所述第二区域上并与所述滑块连接;所述滑块滑动设置在所述第二区域上,所述滑块滑动时用以带动所述支撑块在所述第二区域内沿第一方向可移动;
所述支撑块用于在所述去边层的位置吸附所述基底的第一表面,所述支撑块设有真空吸附孔,所述第一真空管路的一端与所述真空吸附孔的底端连通,所述第一真空管路的另一端用于与抽真空装置连接。
3.根据权利要求2所述的真空吸附装置,其特征在于,还包括连接座,所述连接座环绕所述第一区域固定在所述基座的所述第二区域上;
所述连接座包括与所述基座连接的底面、与所述底面相对的上表面、以及与所述底面和上表面邻接并远离所述基座中心的外侧面;
所述连接座的外侧面沿所述第一方向向内凹陷形成一通道,所述滑块滑动设置在所述通道内;
所述连接座的上表面向下凹陷形成一具有开口的腔室,所述腔室与所述通道连通;所述支撑块设置于所述腔室的底面上,并且所述支撑块的侧面与所述滑块连接,所述滑块滑动时带动所述支撑块在所述腔室内沿所述第一方向移动。
4.根据权利要求3所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述腔室的底面具有底孔,所述支撑块设置在所述腔室的底面上并覆盖所述底孔,所述支撑块的真空吸附孔的顶端用于在所述去边层的位置吸附所述基底的第一表面,所述真空吸附孔的底端与所述底孔连通;所述底孔与所述第一真空管路的一端连通。
5.根据权利要求4所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述真空吸附孔可变形,所述支撑块在所述腔室内沿所述第一方向移动时,所述真空吸附孔沿所述第一方向变形,所述真空吸附孔的底端覆盖所述底孔。
6.根据权利要求4所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述真空吸附孔的底端的形状为开口朝向所述腔室底面的喇叭形,其内径大于所述底孔的孔径,所述支撑块在所述腔室内沿所述第一方向移动时,所述真空吸附孔的底端覆盖所述底孔。
7.根据权利要求3所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述腔室为所述连接座的上表面沿其周向向下凹陷开口形成的环形凹槽,位于所述环形凹槽两侧的所述连接座的上表面分别为远离所述基座中心的外表面和靠近所述基座中心的内表面;
所述真空吸附装置还包括固定于所述外表面上的外支撑件、以及固定于所述内表面上的内支撑件;
所述外支撑件和所述内支撑件均用于支撑所述基底的第一表面。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述第二支撑组件的数量为多个,多个所述第二支撑组件沿所述基座的周向间隔分布在所述第二区域内。
9.根据权利要求2所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述第二支撑组件的数量为多个,多个所述第二支撑组件沿所述基座的周向间隔分布在所述第二区域内,并且多个所述第二支撑组件的第一真空管路之间连通或不连通。
10.根据权利要求3所述的一种真空吸附装置,其特征在于,所述第二支撑组件的数量为多个;所述连接座的上表面向下凹陷形成多个腔室,所述腔室与所述第二支撑组件一一对应;
所述连接座的外侧面沿所述第一方向向内凹陷形成多个通道,所述通道与所述第二支撑组件一一对应,所述滑块滑动设置在对应的所述通道内;
所述支撑块设置于对应的所述腔室内并与对应的所述滑块连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造