[实用新型]混合气体氧化生产系统

说明书

本实用新型涉及一种混合气体氧化生产系统，包括混合气体单元和与所述的混合气体单元相连接的主反应单元，所述的混合气体单元包括第一气体罐、第二气体罐、混合罐，所述的第一气体罐和第二气体罐均与所述的混合罐相连接，所述的主反应单元包括反应罐，所述的反应罐的底部设置三通阀，三通阀的第一端与所述的混合罐相连接，所述的三通阀的第二端与缓冲罐相连接，所述的缓冲罐与负压泵相连接。采用了本实用新型的混合气体氧化生产系统，可以方便控制加入物料的速率，还可以准确控制投料量，避免通气过快温度急速升高和气体浪费的情况，提高生产安全系数，并可以高效地对反应生成的废气进行后处理，是一种安全、经济的可适用于磷腈类化合物生产装置。

技术领域

本实用新型涉及化工设备技术领域，涉及一种混合气体氧化生产系统，特别适用于制备三羟基异丙基苯类化合物。

背景技术

三羟基异丙基苯类化合物主要用于半导体产业，为芯片制备工艺中的重要添加剂之一。制备方法采用空气氧化法，较格氏反应工艺而言，本工艺易放大量产，成本具有很大优势。目前这个产品的生产商集中在日本，国内尚无商业化的供应商。作为《中国制造2025》制造强国战略提出的十大重点领域之一，国家近年大力发展光伏和半导体产业，国产芯片产业化的进程日益加快，对该产品具有迫切需求。

在现有技术中，已经有很多关于三羟基异丙基苯类化合物的专利或者文献(例如日本专利JP2001031604等)，但是现有的合成方法大多会产生较难后处理的产物。此外，在三羟基异丙基苯类化合物的合成过程中，对于反应原料的控制也非常重要。所以，总体来说需要一种适用于膦胺类化合物合成的生产装置。

实用新型内容

本实用新型的主要目的就是针对以上存在的问题，提供一种方便物料控制、提高生产安全系统、高效处理废气的混合气体氧化生产系统。

为了实现上述目的，本实用新型采用的混合气体氧化生产系统的技术方案如下：

包括混合气体单元和与所述的混合气体单元相连接的主反应单元，所述的混合气体单元包括第一气体罐、第二气体罐、混合罐，所述的第一气体罐和第二气体罐均与所述的混合罐相连接，所述的主反应单元包括反应罐，所述的反应罐的底部设置三通阀，所述的三通阀的第一端与所述的混合罐相连接，所述的三通阀的第二端与缓冲罐相连接，所述的缓冲罐与负压泵相连接。

较佳地，所述的第一气体罐和所述的混合罐之间设置第一流量计，所述的第二气体罐和所述的混合罐之间设置第二流量计。

较佳地，所述的反应罐的顶部与冷凝装置相连接，所述的冷凝装置包括冷凝柱、冷凝器和储液罐，所述的冷凝柱的一端与所述的反应罐的顶部相连接，所述的冷凝柱的另一端与所述的冷凝器相连接，所述的冷凝器的底部与所述的储液罐相连接。

较佳地，所述的冷凝器的底部与至少一种尾气处理装置相连接。

较佳地，所述的反应罐的内部设置疏气筛板。

较佳地，所述的三通阀的第一端和所述的混合罐之间设置压力表。

采用了本实用新型的混合气体氧化生产系统，可以方便控制加入物料的速率，还可以准确控制投料量，避免通气过快温度急速升高和气体浪费的情况，提高生产安全系数，并可以高效地对反应生成的废气进行后处理，是一种安全、经济的可适用于磷腈类化合物生产装置。

附图说明

图1为本实用新型的混合气体氧化生产系统的结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容，特举以下实施例详细说明。