[实用新型]一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件有效

专利信息
申请号: 202020555595.8 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN211654859U 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 毛虎;焦英豪;毛森;王彦孚;陆凯凯 申请(专利权)人: 广东鸿芯科技有限公司
主分类号: H01L35/10 分类号: H01L35/10;H01L35/16;H01L25/16;H01L23/38;H01L23/34
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 杨成刚
地址: 523690 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 精密 恒温 控制 功能 光电 模块 组件
【权利要求书】:

1.一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征是:包括陶瓷或玻璃基片(1),光发射组件(2),光接收组件(3),集成电路芯片(4),片式元器件(5),NTC薄膜电阻(6),光电模块组件顶层金属电极(7),NTC薄膜电阻金属电极(8),多层布线绝缘介质层(9),集成TEC热电致冷器(200);

所述集成TEC热电致冷器(200)包括:集成TEC p型半导体(201),集成TEC n型半导体(202),集成TEC顶层金属电极(203),集成TEC底层金属电极(204),集成TEC平面型负电极(205),集成TEC平面型正电极(206),集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),集成TEC第二层绝缘介质隔离层(208),集成TEC二氧化硅缓冲层(209);

所述陶瓷或玻璃基片(1)的上层为所述NTC薄膜电阻(6)、多层布线绝缘介质层(9);

所述NTC薄膜电阻(6)的两端上层为NTC薄膜电阻金属电极(8),所述NTC薄膜电阻(6)的两端之外的中部上层为多层布线绝缘介质层(9);所述NTC薄膜电阻金属电极(8)的上层为多层布线绝缘介质层(9);所述NTC薄膜电阻(6)位于所述光发射组件(2)的正下方;

所述多层布线绝缘介质层(9)上层为所述光电模块组件顶层金属电极(7),所述光电模块组件顶层金属电极(7)的上层组装有所述光发射组件(2)、所述光接收组件(3)、所述集成电路芯片(4)、片式元器件(5);

所述陶瓷或玻璃基片(1)下层为所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209),所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209)的下层为所述集成TEC顶层金属电极(203)、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),所述集成TEC顶层金属电极(203)的下层为所述集成TEC p型半导体(201)、所述集成TEC n型半导体(202)、集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),所述集成TEC p 型半导体(201)与所述集成TEC n型半导体(202)之间被所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207)隔离,所述集成TEC底层金属电极(204)上层为所述TEC p型半导体(201)、所述集成TEC n型半导体(202)、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207);

所述集成TEC底层金属电极(204)的两端的下层为所述集成TEC平面型负电极(205)、所述集成TEC平面型正电极(206);

所述集成TEC底层金属电极(204)的除两之外的中部下层为所述集成TEC第二层绝缘介质隔离层(208)。

2.如权利要求1所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述集成TEC p型半导体(201)采用p型碲化铋半导体材料。

3.如权利要求2所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述p型碲化铋半导体材料为Bi2Te3-Sb2Te3

4.如权利要求1或2所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述集成TEC p型半导体(201)厚度为0.2mm-0.6mm。

5.如权利要求1所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述集成TEC n型半导体(202)采用n型碲化铋半导体材料。

6.如权利要求5所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述n型碲化铋半导体材料为Bi2Te3-Bi2Se3

7.如权利要求1或5所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述集成TEC n型半导体(202)的厚度为0.2mm-0.6mm。

8.如权利要求1所述的一种具有精密恒温控制功能的光电模块组件,其特征在于:所述集成TEC顶层金属电极(203)、集成TEC底层金属电极(204)的材料为镍铬-铜-镍铬-金复合导体。

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