[实用新型]一种3D集成式Micro LED

说明书

本实用新型公开了一种3D集成式Micro LED，包括导电衬底，若干个设于导电衬底正面上的基底层，设置在基底层正面上并填充在基底层之间的阻挡层，所述阻挡层将基底层隔绝，设置在基底层上发光柱体，所述发光柱体包括设于基底层上的第一半导体层、将第一半导体层的包裹的有源层、将有源层包裹的第二半导体层，覆盖在发光柱体和阻挡层上的透明导电层，所述透明导电层将多个发光柱体形成导电连接，设于导电衬底背面的第一电极，设于透明导电层上的第二电极，所述发光柱体实现360度出光，且其发光角度为180度。

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种3D集成式Micro LED。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro LED)是一种尺寸为微米级的发光二极管，由于Micro LED的尺寸较小，因此其可以作为显示面板上的像素，采用Micro LED制备得到的显示面板可称为Micro LED显示面板。与有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示面板相比，Micro LED显示面板的使用寿命和可视角度均优于OLED显示面板，因此Micro LED显示技术成为目前显示技术领域的研究重点。

参见图1，现有的Micro LED芯片包括衬底10、设于衬底10上的第一半导体层20、设于第一半导体成20上的有源层30和第一电极51、设于有源层30上的第二半导体层40、以及设于第二半导体层40上的第二电极52。现有的Micro LED芯片由于受外层长晶的限制，发光角一般都在110～130度之间，若要增加芯片的发光角度，则需要进行封装实现二次光学出光，这样不仅增加芯片的成本，由于封装后芯片体积增大，因此也难以形成体积小、像素高的屏幕。

此外，现有Micro LED芯片的有源层30只设置在第一半导体层20的平面上，为2D发光结构，属于平面发光。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种3D集成式Micro LED，可实现360度出光，且其发光角度为180度。

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种3D集成式Micro LED，体积小、像素高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种3D集成式Micro LED，包括：

导电衬底，

若干个设于导电衬底正面上的基底层，

设置在基底层正面上并填充在基底层之间的阻挡层，所述阻挡层将基底层隔绝，

设置在基底层上发光柱体，所述发光柱体包括设于基底层上的第一半导体层、将第一半导体层的包裹的有源层、将有源层包裹的第二半导体层，

覆盖在发光柱体和阻挡层上的透明导电层，所述透明导电层将多个发光柱体形成导电连接，

设于导电衬底背面的第一电极，设于透明导电层上的第二电极，

所述发光柱体实现360度出光，且其发光角度为180度。

作为上述方案的改进，所述发光柱体为柱状结构，所述发光柱体之间的间隔为3～50μm。

作为上述方案的改进，所述基底层包括AlN层、AlGaN层和U-GaN层，所述AlN层设于导电衬底上，所述AlGaN层设于AlN层和U-GaN层之间。

作为上述方案的改进，所述的阻挡层的高度大于等于基底层的高度，所述阻挡层由不透明的绝缘材料制成。

作为上述方案的改进，所述基底层的厚度为1.5～2μm，所述阻挡层的厚度为2～3μm，所述阻挡层的材料为氮化硅或氮化铟。

作为上述方案的改进，所述导电衬底为硅衬底，厚度为80～150μm；