[实用新型]功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 202020573474.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN212161822U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 | ||
1.一种功率MOSFET器件，其特征在于：包括：位于硅片（1）下表面的重掺杂N型漏极区（2）和位于硅片（1）上表面的中掺杂P型基极区（3），所述重掺杂N型漏极区（2）和中掺杂P型基极区（3）之间具有一轻掺杂N型漂移区（4），一位于中掺杂P型基极区（3）中沟槽（5）延伸至轻掺杂N型漂移区（4）下部，所述中掺杂P型基极区（3）上部内且位于沟槽（5）的周边具有第一重掺杂N型源极区（6），一介质层（12）覆盖于沟槽（5）上并延伸至第一重掺杂N型源极区（6）内侧边缘的上方；
所述沟槽（5）内下部具有第二N型源极部（8），此沟槽（5）内上部具有栅极部（9），所述栅极部（9）与沟槽（5）之间填充有第一氧化硅层（10），所述第二N型源极部（8）与沟槽（5）之间填充有第二氧化硅层（11），所述第二N型源极部（8）和栅极部（9）之间通过第三氧化硅层（14）隔离，所述栅极部（9）与沟槽（5）之间的第一氧化硅层（10）的宽度从上往下逐渐变宽，相应地栅极部（9）的宽度从上往下逐渐变窄。
2.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件，其特征在于：一上金属层（7）位于所述中掺杂P型基极区（3）和第一重掺杂N型源极区（6）外侧边缘的上方。
3.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件，其特征在于：一下金属层（13）位于所述重掺杂N型漏极区（2）与轻掺杂N型漂移区（4）相背的表面。
4.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件，其特征在于：所述中掺杂P型基极区（3）的深度与轻掺杂N型漂移区（4）的深度之比在1：3~5之间的范围。
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