[实用新型]一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片有效
| 申请号： | 202020579112.8 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN211578759U | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李兵;葛宜威 | 申请（专利权）人： | 山东星合明辉电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/866 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 孟雪 |
| 地址： | 261500 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 超高 浪涌 能力 平面 稳压 芯片 | ||
1.一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，包括薄片状的芯片本体，所述芯片本体的上表面设有主结，所述主结的上表面设有顶部电极，所述芯片本体的下表面设有衬底，所述衬底的下表面设有底部电极，其特征在于，环绕所述顶部电极设有腐蚀环，所述腐蚀环的深度不低于所述主结的深度，所述腐蚀环内填充有钝化保护层，环绕所述腐蚀环设有金属放电环，环绕所述金属放电环设有切割槽。
2.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述芯片本体设为抛光片或化腐片，所述芯片本体的厚度设为150-400um。
3.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述主结的深度设为5-15um。
4.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述芯片本体与所述主结的接触面形成PN结。
5.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述钝化保护层设为复合多层结构或者单层结构。
6.根据权利要求5所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，当所述钝化保护层为复合多层结构时，所述钝化保护层由内及表依次包括多晶硅、二氧化硅膜层和聚酰亚胺薄膜层；当所述钝化保护层为单层结构时，所述钝化保护层设为掺氯二氧化硅薄膜或聚酰亚胺薄膜。
7.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述金属放电环与所述顶部电极的材质一致；所述金属放电环的高度与所述主结的高度一致。
8.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述腐蚀环的深度为所述主结的深度的1.5-2倍。
9.根据权利要求1所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述顶部电极与所述底部电极的结构设为相同或不同。
10.根据权利要求9所述的一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，其特征是，所述顶部电极设为镍-镍或镍-金或钛-镍-银结构；所述底部电极设为镍-镍或镍-金或钛-镍-银或蒸铝层结构。
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