[实用新型]一种组合式创伤骨科冷敷装置控制电路

权利要求书

1.一种组合式创伤骨科冷敷装置控制电路，其特征在于，包括有电源电路、电子开关电路、温控器电路、温度传感器、MOS驱动电路和半导体制冷片，所述电子开关电路的输出端与温控器电路的输入端相连，所述温控器电路的输入端与温度传感器相连，所述温控器电路的输出端与MOS驱动电路的输入端相连，所述MOS驱动电路的输出端与半导体制冷片相连，所述电源电路为电子开关电路、温控器电路、温度传感器、MOS驱动电路和半导体制冷片供电。

2.根据权利要求1所述的一种组合式创伤骨科冷敷装置控制电路，其特征在于，还包括有温差调节电位器和温度调节电位器，所述温差调节电位器和温度调节电位器都与温控器电路的输入端相连，所述电源电路为温差调节电位器和温度调节电位器供电。

3.根据权利要求2所述的一种组合式创伤骨科冷敷装置控制电路，其特征在于，所述电子开关电路包括有CD4013、电容C1-C2、电阻R1-R5、轻触开关SW1、三极管Q1、二极管D1、发光二极管VD1、继电器RL1和电解电容EC2，所述CD4013的6脚、7脚、8脚和10脚均接地，所述CD4013的5脚和14脚均接+5V，所述CD4013的1脚与其11脚并联，所述CD4013的9脚与其12脚并联，所述CD4013的1脚串联电阻R2和电容C2，所述电容C2的另一端接地，所述CD4013的4脚与电阻R2和电容C2之间的节点相连，所述电阻R1串联电容C1和轻触开关SW1，所述电阻R1的另一端接地，所述轻触开关SW1的另一端接+5V，所述CD4013的3脚与电阻R1和电容C1之间的节点相连，所述CD4013的13脚串联电阻R3和三极管Q1，所述三极管Q1的基极串联电阻R4接地，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的集电极分别串联二极管D1和继电器RL1，所述二极管D1和继电器RL1的另一端均接+5V，所述继电器RL1的COM端接+12V，所述继电器RL1的OFF端串联电解电容EC2，所述电解电容EC2的负极接地，所述二极管D1的两端并联电阻R5和发光二极管VD1。

4.根据权利要求3所述的一种组合式创伤骨科冷敷装置控制电路，其特征在于，所述温控器电路包括有NE555、AD590、电位器VR1-VR2、电阻R6-R9和电解电容EC2，所述NE555的1脚接地，所述NE555的4脚和8脚均接+12V，所述AD590的2脚接+12V，所述AD590的2脚串联电阻R8、电位器VR1和电阻R9，所述电阻R9的另一端接地，所述NE555的5脚与电位器VR1的输入端相连，所述AD590的1脚串联电阻R6、电位器VR2和电阻R7，所述电阻R7的另一端接地，所述NE555的2脚与电位器VR2的输入端相连，所述AD590的1脚与NE555的6脚相连，所述NE555的6脚串联电解电容EC2接地。

5.根据权利要求4所述的一种组合式创伤骨科冷敷装置控制电路，其特征在于，所述MOS驱动电路包括有MOS场效应晶体管Q2-Q5、电阻R10-R15和发光二极管VD2-VD3，所述NE555的3脚分别串联电阻R10和电阻R13，所述电阻R10和电阻R13的另一端均接+5V，所述NE555的3脚串联MOS场效应晶体管Q2，所述MOS场效应晶体管Q2的漏极接地，所述MOS场效应晶体管Q2的源极串联电阻R11，所述电阻R11的另一端接+12V，所述MOS场效应晶体管Q2的源极与MOS场效应晶体管Q3的栅极相连，所述MOS场效应晶体管Q3的漏极接+12V，所述MOS场效应晶体管Q3的源极串联电阻R12和发光二极管VD2，所述发光二极管VD2的阴极接地，所述NE555的3脚串联MOS场效应晶体管Q4，所述MOS场效应晶体管Q4的漏极接地，所述MOS场效应晶体管Q4的源极串联电阻R14，所述电阻R14的另一端接+12V，所述MOS场效应晶体管Q4的源极与MOS场效应晶体管Q5的栅极相连，所述MOS场效应晶体管Q5的漏极接+12V，所述MOS场效应晶体管Q5的源极串联电阻R15和发光二极管VD3，所述发光二极管VD3的阴极接地。