[实用新型]一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉淀设备有效
申请号: | 202020581293.8 | 申请日: | 2020-04-18 |
公开(公告)号: | CN212388113U | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 李蜂 | 申请(专利权)人: | 吕梁学院 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/44 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 陈月婷 |
地址: | 033000 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 个子 反应器 结构 金属 有机化学 沉淀 设备 | ||
本实用新型公开了一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉淀设备,包括主设备、子设备、控制键面板和防护机构,所述主设备和子设备前表面均设置有控制键面板,所述控制键面板可拆卸式安装在主设备或者子设备侧面且可对控制键面板防护,所述防护机构包括透明板、右固定板、左固定板和限位组件,所述右固定板和左固定板对称安装在主设备侧面,且通过螺钉固定,所述右固定板和左固定板前端伸出主设备露在外侧,且端部设置有矩形缺口;本实用新型通过设置有防护机构,既不影响控制键面板的正常使用,又可在不使用时起到防护作用,避免旁人误碰控制键造成沉淀设备工作出现问题,减少影响化学气相沉淀设备工作的因素,且机构方便安装和拆卸。
技术领域
本实用新型属于金属有机化学气相沉淀设备技术领域,具体涉及一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉淀设备。
背景技术
化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法,大多数制备贵金属薄膜都会采用这种方式。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。而化学气相沉淀设备可用于形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
现有的有些化学气相沉淀设备上的控制键面板裸露在外侧,在整个化学气相沉淀设备工作时,可能出现旁人误碰控制键造成设备工作出现差错,影响设备工作效率的问题,为此我们提出一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉淀设备。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉淀设备,以解决上述背景技术中提出的有些化学气相沉淀设备上的控制键面板裸露在外侧,在整个化学气相沉淀设备工作时,可能出现旁人误碰控制键造成设备工作出现差错,影响设备工作效率的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉淀设备,包括主设备、子设备、控制键面板和防护机构,所述主设备和子设备前表面均设置有控制键面板,所述控制键面板可拆卸式安装在主设备或者子设备侧面且可对控制键面板防护,所述防护机构包括透明板、右固定板、左固定板和限位组件,所述右固定板和左固定板对称安装在主设备侧面,且通过螺钉固定,所述右固定板和左固定板前端伸出主设备露在外侧,且端部设置有矩形缺口,所述透明板位于控制键面板正前方,且左右两侧分别固定有固定凸块和连接板。
优选的,所述固定凸块另一端位于左固定板端部的缺口中,所述限位组件转动安装在左固定板缺口中,且可对固定凸块压紧限位,所述限位组件包括转动板和压紧棉,左视为“U”型的所述转动板开口端通过转轴转动安装在缺口中。
优选的,所述转动板另一端后表面固定有与固定凸块接触的压紧棉,所述转动板可左右转动与固定凸块脱离或者接触。
优选的,俯视为“L”型的所述连接板自由端位于右固定板的缺口中,且与右固定板缺口转动连接,所述透明板可左右转动将控制键面板露出。
优选的,所述透明板后表面固定有防护圈,所述防护圈位于控制键面板外侧且与主设备表面挤压接触,所述防护圈为海绵圈。
优选的,所述主设备顶部安装有金属有机化学反应的反应容器,所述子设备与反应容器之间连接有连接线,且所述主设备内部安装有多个子反应器,所述子反应器为等离子反应器。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1)本实用新型通过设置有防护机构,既不影响控制键面板的正常使用,又可在不使用时起到防护作用,避免旁人误碰控制键造成沉淀设备工作出现问题,减少影响化学气相沉淀设备工作的因素,且机构方便安装和拆卸。
(2)本实用新型通过设置有海绵圈,可对透明板与主设备表面的空隙进行填充,可避免外界灰尘颗粒堆积落到控制键上,减少清理的麻烦。
附图说明
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的