[实用新型]基于磁场耦合的隔离放大器结构有效
| 申请号： | 202020590909.8 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN211908751U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 黄海滨;马辉;蒋赛尖 | 申请（专利权）人： | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/68 | 分类号： | H03F3/68 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 张宁;杨辰 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磁场 耦合 隔离放大器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于磁场耦合的隔离放大器结构，其包括发送端模块、接收端模块和耦合器件，其特征在于，所述发送端模块包括顺次连接的前置放大器/滤波器、脉冲宽度调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次连接的放大整形电路和低通滤波器，所述耦合器件包括线圈和磁传感器，所述线圈和磁传感器之间设置有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的一种基于磁场耦合的隔离放大器结构，其特征在于，所述电流源开关组包括电流源和四个开关，所述电流源一端连接电源、另一端通过其中两个所述开关分别连接所述线圈两端，所述线圈两端还分别通过剩余的两个所述开关接地。
3.根据权利要求1所述的一种基于磁场耦合的隔离放大器结构，其特征在于，所述耦合器件包括两个对称布置的所述线圈和两个对称布置的磁传感器，两个所述线圈一端相连，一个所述磁传感器与一个所述线圈之间设置有所述绝缘层。
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