[实用新型]二维光子晶体结构像元阵列

说明书

本实用新型实施例提供一种二维光子晶体结构像元阵列，所述二维光子晶体结构像元阵列包括：多个二维光子晶体像元，所述二维光子晶体像元为六边形，多个所述二维光子晶体像元密排为二维阵列。本实用新型实施例提供的二维光子晶体结构像元阵列，采用六边形的二维光子晶体像元密排的方式，在整机体积相同的情况下，可以容纳更多像元，有效提高了像元占空比，在成像质量要求相同的情况下，可以极大地缩小传感器尺寸和光学系统尺寸，进而缩小整机体积，同时降低对光学系统长焦的要求，节约成本。

技术领域

本实用新型涉及图像传感技术领域，更具体地，涉及一种二维光子晶体结构像元阵列。

背景技术

现有的成像仪像元阵列采用水平逐行排列，目前已经非常成熟。要提高图像传感器分辨率和图像的质量一般有两种方法，第一种方法是增大光学系统的焦距，但是这样会大大地增加整机设备的体积、质量和制造成本，且必须重新设计光学系统，实施起来较为繁琐；第二种方法是减小图像传感器像元尺寸，一般情况下，在光机系统不变的情况下，如果减小像元尺寸，又会造成成像系统MTF下降，信噪比降低，影响成像的质量。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的二维光子晶体结构像元阵列。

本实用新型实施例提供一种二维光子晶体结构像元阵列包括：多个二维光子晶体像元，所述二维光子晶体像元为六边形，多个所述二维光子晶体像元密排为二维阵列。

在一些实施例中，所述多个所述二维光子晶体像元密排为二维阵列包括：获取任一所述二维光子晶体像元作为第一像元；以所述第一像元为中心，多个所述二维光子晶体像元密排在所述第一像元的外围，其中，密排在所述第一像元外围第一圈的多个所述二维光子晶体像元作为第二像元，所述第二像元之间的距离为5um-10um，密排在所述第一像元外围第二圈的多个所述二维光子晶体像元作为第三像元，所述第三像元之间的距离为5um-10um。

在一些实施例中，所述第一像元用于在扫描时作为起点，所述第二像元用于在扫描时作为第一圈扫描点，所述第三像元用于在扫描时作为第二圈扫描点，从所述第一像元开始，以顺时针或者逆时针的方向，按照螺旋线的轨迹逐圈扫描所述第二像元和所述第三像元。

在一些实施例中，所述二维光子晶体像元由六角晶格组成，所述二维光子晶体结构像元阵列在宏观上排列成为正六边形形状。

本实用新型实施例的二维光子晶体结构像元阵列，采用六边形的二维光子晶体像元密排的方式，在整机体积相同的情况下，可以容纳更多像元，有效提高了像元占空比，在成像质量要求相同的情况下，可以极大地缩小传感器尺寸和光学系统尺寸，进而缩小整机体积，同时降低对光学系统长焦的要求，节约成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例的二维光子晶体结构像元阵列的结构示意图；

图2为现有的成像仪像元阵列的结构示意图；

图3为现有的成像仪像元阵列扫描方法的示意图；

图4为本实用新型实施例的二维光子晶体结构像元阵列扫描方法的示意图；

图5为本实用新型实施例的二维光子晶体结构像元阵列另一扫描方法的示意图；

图6为本实用新型实施例的二维光子晶体结构像元阵列另一扫描方法的示意图；

图7为本实用新型实施例的二维光子晶体结构像元阵列另一扫描方法的示意图；