[实用新型]一种DFB激光器外延结构有效
| 申请号： | 202020595628.1 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN211605647U | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;姜伟;陈阳华;方天足 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323;H01S5/343;C23C16/455;C23C16/30 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 激光器 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种DFB激光器外延结构，包括InP基底，在所述InP基底依次采用MOCVD沉积的InP外延层、AlInAsP插入层、AlInAs外延层、N-AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P-AlGaInAs波导层、P-AlInAs 限制层、P-InP限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、以及InGaAs欧姆接触层；其特征在于：在所述InP外延层中插入若干与InP晶格匹配的InGaAs薄层。
2.根据权利要求1所述的一种DFB激光器外延结构，其特征在于：在所述InP基底上，第一层先采用InGaAs外延层，然后再采用InP外延层。
3.根据权利要求1所述的一种DFB激光器外延结构，其特征在于：所述InGaAs薄层的插入层数不少于6层。
4.根据权利要求1所述的一种DFB激光器外延结构，其特征在于：所述InP基底电导率为2-8x1018cm-2。
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