[实用新型]一种半导体激光器的封装结构

说明书

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种半导体激光器的封装结构。所述一种半导体激光器的封装结构，主要包括：半导体激光器、衬底、焊接用料、冷却器；所述衬底为方形结构，其上表面设置有一个凹槽；所述半导体激光器键合于凹槽内，半导体激光器由多个激光芯片串联而成；所述衬底的底部设置有一个贯通槽，贯通槽分别与四个侧壁面相互连通；所述冷却器位于衬底的底部，其顶部设置有波纹面，波纹面位于贯通槽内；所述焊接用料填满贯通槽与波纹面形成的空间，使得衬底与冷却器键合在一起。本实用新型能有效提高半导体激光器的功率密度。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种半导体激光器的封装结构。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（gaas）、硫化镉（cds）、磷化铟(inp)、硫化锌(zns)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

目前，在半导体激光器的封装过程中，半导体激光器的叠阵体积较大，功率密度有限。

发明内容

因此，本实用新型正是鉴于上述问题而做出的。本实用新型提供一种半导体激光器的封装结构，能有效提高功率密度。本实用新型是通过以下技术方案实现上述目的：

一种半导体激光器的封装结构，主要包括：半导体激光器、衬底、焊接用料、冷却器；

所述衬底为方形结构，其上表面设置有一个凹槽；所述半导体激光器键合于凹槽内，半导体激光器由多个激光芯片串联而成；

所述衬底的底部设置有一个贯通槽，贯通槽分别与四个侧壁面相互连通；

所述冷却器位于衬底的底部，其顶部设置有波纹面，波纹面位于贯通槽内；所述焊接用料填满贯通槽与波纹面形成的空间，使得衬底与冷却器键合在一起。

本实用新型有益效果如下：

本实用新型能够改善半导体激光器的散热情况，避免影响半导体激光器的正常工作，半导体激光器由多个激光芯片串联而成，能助于提高功率密度。

附图说明

图1是本实用新型的整体视图。

图2是本实用新型的结构分解图。

图3是本实用新型的衬底的视图。

具体实施方式

本实用新型的优选实施例将通过参考附图进行详细描述，这样对于实用新型所属领域的现有技术人员中具有普通技术的人来说容易实现这些实施例。然而本实用新型也可以各种不同的形式实现，因此本实用新型不限于下文中描述的实施例。另外，为了更清楚地描述本实用新型，与本实用新型没有连接的部件将从附图中省略。

一种半导体激光器的封装结构，主要包括：半导体激光器1、衬底2、焊接用料3、冷却器4；

如图2所示，所述衬底2为方形结构，其上表面设置有一个凹槽21；所述半导体激光器1键合于凹槽21内，半导体激光器1由多个激光芯片串联而成；

如图3所示，所述衬底2的底部设置有一个贯通槽22，贯通槽22分别与四个侧壁面相互连通；

如图2所示，所述冷却器4位于衬底2的底部，其顶部设置有波纹面41，波纹面41位于贯通槽22内；所述焊接用料3填满贯通槽22与波纹面41形成的空间，使得衬底2与冷却器4键合在一起；

在本方案中，所述冷却器4可以根据实际需要选择液体制冷型冷却器、和/或传导冷却型冷却器。

在本发明创造的描述中，需要特别地说明的是，除非另有明确的规定和限定，文中所用术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明创造中的具体含义。