[实用新型]硅基液晶空间光调制器与波长选择开关有效
申请号: | 202020598133.4 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN211979367U | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 李方红;常嘉兴 | 申请(专利权)人: | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1339 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 空间 调制器 波长 选择 开关 | ||
1.一种硅基液晶空间光调制器,其特征在于,包括:第一基板(10)、与所述第一基板(10)相对间隔设置的第二基板(20)以及设于所述第一基板(10)与第二基板(20)之间的液晶层(30);
所述第一基板(10)包括:硅基背板(11)及设于所述硅基背板(11)上的辅助层(12);
所述硅基背板(11)包括阵列排布的多个像素区(111),所述辅助层(12)包括多个条状的第一挡墙(121)、多个条状的第二挡墙(122)及多个凸起部(123);
所述多条第一挡墙(121)与多条第二挡墙(122)纵横交错形成多个网格(124),每一个网格(124)包围一个像素区(111),且每一个网格(124)内设有至少一个凸起部(123)。
2.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述辅助层(12)的材料为氧化硅或氮化硅。
3.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第一挡墙(121)和第二挡墙(122)的高度为1~8μm。
4.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,每一个像素区(111)均包括第一衬底(51)、设于所述第一衬底(51)朝向第二基板(20)一侧的CMOS电路(52)以及设于所述CMOS电路(52)上的与所述CMOS电路(52)电性连接的第一电极(53)。
5.如权利要求4所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第一电极(53)为反射电极。
6.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述凸起部(123)的高度小于所述第一挡墙(121)和第二挡墙(122)的高度。
7.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第二基板(20)包括第二衬底(21)及设于所述第二衬底(21)靠近所述第一基板(10)一侧的第二电极(22)。
8.如权利要求7所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第二衬底(21)为透明衬底,所述第二电极(22)为透明电极。
9.一种波长选择开关,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的硅基液晶空间光调制器。
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