[实用新型]一种双路低压差稳压源有效
申请号: | 202020602941.3 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN211857322U | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 王宽厚 | 申请(专利权)人: | 陕西航晶微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 西安毅联专利代理有限公司 61225 | 代理人: | 师玮 |
地址: | 710000 陕西省西安市航天基地*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 稳压 | ||
1.一种双路低压差稳压源,其特征在于,包括:基准电压源、运算放大器U2A、运算放大器U2B、运算放大器U2C、运算放大器U2D、功率管Q1和功率管Q2,基准电压源的输出端分成两路,一路接运算放大器U2A的反相输入端,运算放大器U2A的同相输入端接OUT1,运算放大器U2A的输出引脚接功率管Q2的基极,功率管Q2的集电极接SM470R1B1M-HT芯片的OUT1,功率管Q2的发射极接Vcc2电源,运算放大器U2A的正供电引脚接+5V电源,运算放大器U2A的负供电引脚接地;另一路接运算放大器U2C的反相输入端,运算放大器U2C的同相输入端接SM470R1B1M-HT芯片的OUT2,运算放大器U2C的输出引脚接功率管Q1的基极,功率管Q1的发射极接Vcc1电源,功率管Q1的集电极接SM470R1B1M-HT芯片的OUT2;SM470R1B1M-HT芯片的OUT1通过电阻R11与场效应管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的双路低压差稳压源,其特征在于,OUT2依序串接三极管Q3、三极管Q4后与场效应管的漏极连接。
3.根据权利要求2所述的双路低压差稳压源,其特征在于,三极管Q4的基极与场效应管的漏极连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的双路低压差稳压源,其特征在于,运算放大器U2A、运算放大器U2B、运算放大器U2C、运算放大器U2D共同构成运算放大模块,该运算放大模块用于提高输出电压的驱动能力,并为双路低压差稳压源提供电压参考点。
5.根据权利要求1-3任一项所述的双路低压差稳压源,其特征在于,功率管Q1和功率管Q2共同构成功率调整模块,该功率调整模块用于功率调整,增强功率驱动能力;功率调整管的输出端接SM470R1B1M-HT芯片。
6.根据权利要求1所述的双路低压差稳压源,其特征在于,所述基准电压源用于提供基准电压;基准电压源的输出端与运算放大模块的输入端连接。
7.根据权利要求1所述的双路低压差稳压源,其特征在于,还包括延时模块和保持模块,所述保持模块用于维持系统稳定工作,确保系统上电时复位的稳定性以及工作时抗外界干扰的能力,所述保持模块与运算放大器U2D的输出端电连接;
所述延时模块用于设定延时时间,所述延时模块与保持模块电连接,所述延时模块还与SM470R1B1M-HT芯片的OUT1电连接。
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