[实用新型]一种微发光二极管

权利要求书

1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：

依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层，所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层；

在所述第二量子阱层及所述第二半导体层上形成有纳米环结构，所述第一量子阱层发射第一颜色的光，所述第二量子阱层与所述纳米环侧壁对应的位置发射第二颜色的光；

所述纳米环的横截面形状为圆形、正方形、长方形及任意一种闭环形状；

所述纳米环内填充有颜色转换材料，所述颜色转换材料将所述第一量子阱层发出的第一颜色的光线转换成第三颜色的光，所述第一颜色、所述第二颜色及所述第三颜色均不相同；

所述第一半导体层电性连接有第一电极；

所述第二半导体层电性连接有第二电极。

2.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，其包括依次层叠设置的低温GaN层、无掺杂GaN层及N型GaN层，所述第二半导体层为P型半导体层。

3.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一量子阱层及所述第二量子阱层为绿光量子阱层，所述第一量子阱层及所述第二量子阱层的材质包括InGaN和GaN。

4.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述颜色转换材料为红光量子点材料。

5.如权利要求3所述的微发光二极管，其特征在于，一对量子阱的结构为InGaN阱层/低温GaN/高温GaN依次层叠，所述第一量子阱层包括有10对所述绿光量子阱，所述第二量子阱层包括有10对所述绿光量子阱。

6.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述纳米环的外径为10～2000nm。

7.如权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，所述纳米环的外径为100～900nm。

8.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层上形成有电流扩散层，所述电流扩散层的材料为ITO，所述第二电极形成于所述电流扩散层背离所述第二半导体层的表面。

9.如权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一电极形成于所述第一半导体层面向所述第二半导体层的一面，所述第一电极与所述第二电极的表面齐平。

10.如权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一电极形成于所述第一半导体层上背离所述第二半导体层的表面。