[实用新型]一种半导体制造用湿法氧化装置有效
| 申请号： | 202020611027.5 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN211828682U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王昭 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/02 |
| 代理公司： | 兰州锦知源专利代理事务所(普通合伙) 62204 | 代理人： | 杜文化 |
| 地址： | 741000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 湿法 氧化 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制造用湿法氧化装置，包括扩散炉（1）和水气供给管路，其特征在于：所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管（2）、与氮气源连接的输氮管（3）、与去离子水源连接的去离子水输送管（4），所述输氧管（2）和输氮管（3）上设置有开关阀（5）和流量控制阀（6），所述去离子水输送管（4）上设有开关阀（5）和水泵（8），所述输氧管（2）和输氮管（3）连接于扩散炉（1）的进气口，所述去离子水输送管（4）伸入扩散炉（1）的炉膛内。
2.如权利要求1所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述输氧管（2）、输氮管（3）和去离子水输送管（4）上设有流量计（7）。
3.如权利要求1所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述水泵（8）为计量型蠕动泵。
4.如权利要求1所述的一种半导体制造用湿法氧化装置，其特征在于：所述开关阀（5）为电磁开关阀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
