[实用新型]显示基板和显示面板

说明书

本公开实施例提供了一种显示基板，其中，包括：衬底基板；有源层图形，位于所述衬底基板的一侧，具有用于导电的半导体区域；光阻图形，位于所述衬底基板和所述有源层图形之间，所述光阻图形在所述衬底基板上的正投影至少完全覆盖所述半导体区域，所述光阻图形包括至少一个侧面，所述侧面所在面与所述衬底基板所在平面之间具有倾斜角，所述侧面在所述衬底基板的正投影与所述有源层图形在所述衬底基板上的正投影存在交叠；介质层，位于所述有源层图形和所述光阻图形之间，配置为使得有源层朝向衬底基板的表面与衬底基板所在平面平行，所述光阻图形的最大厚度为d1，所述介质层的最大厚度为d2，d1和d2满足：d1＜d2。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板和显示面板。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)型薄膜晶体管 (ThinFilm Transistor，简称TFT)凭借其小型化、轻薄化、功耗低等优点，在显示技术领域得到广泛应用。在LTPS型TFT中，有源层图形是整个器件的核心层，多晶硅(又称为p-Si)薄膜的质量将直接决定最终显示产品的效果和质量。

在相关技术中，在对单晶硅(又称为a-Si)薄膜进行激光照射晶化，以制备p-Si薄膜的过程中，容易出现p-Si薄膜断裂(Crack)的问题，从而导致最终形成的TFT存在电学特性异常的问题。

实用新型内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板和显示面板。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，其中，包括：

衬底基板；

有源层图形，位于所述衬底基板的一侧，具有用于导电的半导体区域；

光阻图形，位于所述衬底基板和所述有源层图形之间，所述光阻图形在所述衬底基板上的正投影至少完全覆盖所述半导体区域，所述光阻图形包括至少一个侧面，所述侧面所在面与所述衬底基板所在平面之间具有倾斜角，所述侧面在所述衬底基板的正投影与所述有源层图形在所述衬底基板上的正投影存在交叠；

介质层，位于所述有源层图形和所述光阻图形之间，配置为使得有源层朝向衬底基板的表面与衬底基板所在平面平行；

所述光阻图形的最大厚度为d1，所述介质层的最大厚度为d2，d1和d2满足：d1＜d2。

在一些实施例中，所述倾斜角的范围包括：50°～90°。

在一些实施例中，所述介质层的材料包括：有机树脂材料；

所述有机树脂材料的玻璃化转变温度大于250℃。

在一些实施例中，所述有机树脂材料包括：聚酰亚胺。

在一些实施例中，所述聚酰亚胺的固化量范围包括：10％～20％。

在一些实施例中，所述介质层在基板上为整面设置且呈透明。

在一些实施例中，所述介质层的热膨胀系数小于或等于20ppm/K。

在一些实施例中，所述光阻图形的最大厚度d1满足：

所述介质层的最大厚度d2满足：d2≤10um。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：

缓冲层，位于所述介质层和所述有源层图形之间，所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧表面与衬底基板所在平面平行。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：

栅绝缘层，位于所述有源层图形远离所述衬底基板的一侧；

栅极，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧；