[实用新型]一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器有效
| 申请号： | 202020621377.X | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN211791447U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 赖晓蕾;倪建兴 | 申请（专利权）人： | 锐磐微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 成都知集市专利代理事务所(普通合伙) 51236 | 代理人： | 李位全 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 偏置 电路 | ||
1.一种射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：该偏置电路包括第一偏置单元、第二偏置单元和RC反馈单元，所述第一偏置单元输出第一偏置电流，所述第二偏置单元输出第二偏置电流，所述第一偏置电流和所述第二偏置电流分别耦合至射频功率放大器的基极；所述第二偏置电流还经所述RC反馈单元耦合至射频功率放大器的集电极。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：所述第二偏置电流经阻抗单元耦合至射频功率放大器的基极，所述阻抗单元的阻抗可调。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：所述阻抗单元包括可调电阻R2。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：还包括第一分压单元，所述第一分压单元的一端与第一供电电源的输出端和所述第一偏置单元的基极连接，所述第一分压单元的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：所述第一分压单元包括第一二极管D1和第二二极管D2，所述第一二极管D1的阳极接所述第一供电电源的输出端和所述第一偏置单元的基极，所述第一二极管D1的阴极接所述第二二极管D2的阳极；所述第二二极管D2的阴极接地。
6.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：还包括第二分压单元，所述第二分压单元的一端与第二供电电源的输出端和所述第二偏置单元的基极连接，所述第二分压单元的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：所述第二分压单元包括第三二极管D3和第四二极管D4，所述第三二极管D3的阳极接所述第二供电电源的输出端和所述第二偏置单元的基极，所述第三二极管D3的阴极接所述第四二极管D4的阳极；所述第四二极管D4的阴极接地。
8.根据权利要求1所述的射频功率放大器的偏置电路，其特征在于：所述RC反馈单元包括电阻R1和电容C1，所述电阻R1为可调电阻。
9.一种射频功率放大器，其特征在于：包括功率晶体管和为所述功率晶体管提供偏置电流的偏置电路，所述偏置电路为权利要求1-8任意一项所述的偏置电路。
10.根据权利要求9所述的射频功率放大器，其特征在于：还包括输入匹配电路、中间匹配网络、输出级功率晶体管和/或输出匹配网络。
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