[实用新型]一种用于开关电源功率器件的散热结构及开关

权利要求书

1.一种用于开关电源功率器件的散热结构，其特征在于，包括

PCB板，其底面设有散热装置(7)；

功率器件，安装在所述PCB板顶面，所述功率器件包括MOSFET管和电感(5)，其中，所述电感(5)包括电感工作组件和密封所述电感工作组件的金属外壳，所述MOSFET管绝缘设置在所述电感(5)的金属外壳上并直插固定在所述PCB板的顶面；

所述功率器件产生的热量通过所述电感(5)的金属外壳传递至所述散热装置(7)。

2.如权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述金属外壳包括与所述PCB板相对平行的顶面和底面，以及与所述金属外壳的顶面和底面形成密封结构的侧面，所述金属外壳的顶面上设有电感接线端子(51)，且所述电感接线端子(51)与所述金属外壳的顶面垂直，所述MOSFET管绝缘设置在所述金属外壳的任意侧面上，且所述MOSFET管的引脚与所述电感接线端子(51)垂直或平行。

3.如权利要求2所述的散热结构，其特征在于，所述MOSFET管带有金属的封装面与所述电感(5)的金属外壳之间设有一绝缘垫。

4.如权利要求3所述的散热结构，其特征在于，所述MOSFET管通过螺钉固定在所述电感(5)的金属外壳上。

5.如权利要求1-4任一所述的散热结构，其特征在于，所述MOSFET管直插固定在所述PCB板的顶部边缘。

6.如权利要求1-4任一所述的散热结构，其特征在于，所述散热结构包括第一PCB板(1)和第二PCB板(2)，所述第一PCB板(1)和第二PCB板(2)间隔设置且二者的顶面位于同一水平面，所述电感(5)两个相对的侧面上分别设有第一MOSFET管(3)和第二MOSFET管(4)，所述第一MOSFET管(3)和第二MOSFET管(4)分别直插固定在所述第一PCB板(1)和所述第二PCB板(2)顶部的边缘，所述电感(5)的金属外壳的底面与所述散热装置(7)完全接触。

7.如权利要求1-4任一所述的散热结构，其特征在于，所述散热结构包括第一PCB板(1)和第二PCB板(2)，所述第一PCB板(1)垂直于所述第二PCB板(2)的顶面，所述电感(5)的一侧面上设有第一MOSFET 管(3)和第二MOSFET管(4)，且所述第一MOSFET管(3)与所述第二MOSFET管(4)相互垂直设置；所述第一MOSFET管(3)直插固定在所述第一PCB板(1)的顶部，所述第二MOSFET管(4)直插固定在所述第二PCB板(2)的顶部，所述电感(5)的金属外壳的底面与所述散热装置(7)部分接触。

8.如权利要求1-4任一所述的散热结构，其特征在于，所述散热结构包括第一PCB板(1)和第二PCB板(2)，所述第一PCB板(1)垂直于所述第二PCB板(2)的顶面，所述电感(5)的两个相对的侧面上分别设有第一MOSFET管(3)和第二MOSFET管(4)，且所述第一MOSFET管(3)与所述第二MOSFET管(4)相互垂直设置；所述第一MOSFET管(3)直插固定在所述第一PCB板(1)的顶部，所述第二MOSFET管(4)直插固定在所述第二PCB板(2)的顶部，所述电感(5)的金属外壳的底面与所述散热装置(7)部分接触。

9.如权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述散热装置(7)为水冷散热装置。

10.一种开关，其特征在于，具有权利要求1-9任一项所述的散热结构。