[实用新型]一种无线充电线圈

说明书

本实用新型涉及一种无线充电线圈，包括AMB覆铜陶瓷基板以及蚀刻于其覆铜层上的金属环绕层。其中，AMB覆铜陶瓷基板包括陶瓷片层以及覆盖于该陶瓷片层单面或双面的覆铜层，陶瓷片层的厚度为0.1～1mm，覆铜层的厚度为0.1～1.0mm；金属环绕层直径为30～120mm，环线宽度为0.2～1mm，总圈数为6～75圈，环间距为0.1～2mm。本实用新型提供的无线充电线圈中，通过对AMB覆铜陶瓷基板覆铜层的精密蚀刻制成线圈，无须进行线圈绕线工艺。基板和线圈一体化为产品提供了更高可靠性，超薄的铜箔以及环线组的设计能够有效降低集肤效应及邻近效应的负面影响，降低线圈交流阻抗，从而显著提升无线充电线圈的品质因素。因此，本实用新型为无线充电线圈的设计提供了新的思路。

技术领域

本实用新型属于平板电感、平板变压器以及无线充电技术领域，具体涉及一种平板无线充电线圈。

背景技术

随着智能终端设备普及，无线充电替代传统的有限充电成为了智能终端设备最佳的充电方式。无线充电的原理是利用电磁感应现象，简单来说，电流流过线圈会产生磁场，其他未通电的线圈靠近该磁场就会产生电流。随着无线充电技术的进一步发展，对充电线圈的品质因素提出了进一步要求，电子产品的小型化也显著增大了线圈的设计难度。一种新型的线圈设计方向或可在未来的发展中解决目前线圈性能设计的难题。

无线充电线圈的常用制作方式基本分为两类：柔性电路板工艺和铜线圈绕线工艺，其中铜线圈绕线工艺价格便宜、应用广泛但已接近其技术瓶颈。AMB(活性金属钎焊技术)覆铜板是一种优良的半导体器件封装材料，由瓷片双面覆铜箔，真空钎焊烧结而成。陶瓷片具备高导热、绝缘的特性，满足无线充电线圈散热快和绝缘性高的要求，在铜箔面通过蚀刻工艺可制精密的线圈绕线图形。因此，利用AMB覆铜板的有益性能制造无线充电线圈，对无线充电线圈设计方向的变革和性能的提升具有重要意义。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种无线充电线圈，具有如下技术特征：包括AMB覆铜陶瓷基板以及蚀刻于其覆铜层上的金属环绕层。其中，AMB覆铜陶瓷基板包括陶瓷片层以及覆盖于该陶瓷片层单面或双面的覆铜层，陶瓷片层的厚度为0.1～1mm，覆铜层的厚度为0.1～1.0mm；金属环绕层直径为30～120mm，环线宽度为0.2～1mm，总圈数为6～75圈，环间距为0.1～2mm。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，陶瓷片层厚度优选为0.25-0.635mm。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，金属环绕层为长方形、椭圆形、八角形、圆形、正方形、跑道形或不规则环形。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，金属环绕层等间距设置，金属环线宽度为1mm，间距为0.5mm，总圈数为6-25圈，厚度为0.2mm。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，金属环绕层不等间距设置，总圈数12-75圈，包括环线组以及设置在相邻两个环线组间的过渡线圈，环线组内间距小于过渡线圈内部环线间距。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，每组环线组包括四～六个环线，环线宽度为0.2mm，组内环线间距为0.1mm；过渡线圈与环线组间及过渡线圈内部环线间距为0.2mm-0.5mm。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，当所述陶瓷片层双面覆铜时，上下面的所述金属环绕层一一对应，并通过通孔方式电性连接。单面覆铜时，仅进行单面蚀刻。

优选的，在本实用新型提供的无线充电线圈中，陶瓷片层为氧化铝、氮化铝、碳化硅或氮化硅陶瓷片。