[实用新型]一种可编程生物电传感放大器有效
申请号: | 202020627375.1 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN211959169U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 张骏哲;许小印 | 申请(专利权)人: | 深圳芯森微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 林俭良 |
地址: | 518122 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可编程 生物电 传感 放大器 | ||
1.一种可编程生物电传感放大器,其特征在于,包括:六输入差分放大器电路(10)、第一直流失调抑制电路(20)、第二直流失调抑制电路(30)、闭环增益电路(40),其中,
所述第一直流失调抑制电路(20)连接在所述六输入差分放大器电路(10)的第一正输入端Vpp与第一负输入端Vpn之间,所述第一直流失调抑制电路(20)与所述六输入差分放大器电路(10)的第一正输入端Vpp的连接点为所述可编程生物电传感放大器的外部信号正差分输入端Vip;所述第二直流失调抑制电路(30)连接在所述六输入差分放大器电路(10)的第二正输入端Vnp与第二负输入端Vnn之间,所述第二直流失调抑制电路(30)与所述六输入差分放大器电路(10)的第二正输入端Vnp的连接点为所述可编程生物电传感放大器的外部信号负差分输入端Vin;所述六输入差分放大器电路(10)的正辅助输入端Vpx和所述闭环增益电路(40)均输入共模电压Vcm,所述六输入差分放大器电路(10)的负辅助输入端Vnx经所述闭环增益电路(40)与所述六输入差分放大器电路(10)的输出端Vout连接;
所述第一直流失调抑制电路(20)和第二直流失调抑制电路(30)用于抑制直流失调电压;所述闭环增益电路(40)作为负反馈环路为所述可编程生物电传感放大器提供闭环增益。
2.根据权利要求1所述的可编程生物电传感放大器,其特征在于,所述六输入差分放大器电路(10)包括:偏置电路、多输入级电路、增益级电路、输出级电路;其中,
所述偏置电路包括PMOS管Mp1、Mp2以及偏置电流源Ib;所述PMOS管Mp1的源极与电源正端Vdd连接,所述PMOS管Mp1的漏极与所述PMOS管Mp2的源极连接,所述PMOS管Mp2的源极经所述偏置电流源Ib与电源负端Vss连接;所述PMOS管Mp1的栅极与漏极短接,所述PMOS管Mp2的栅极与漏极短接;
所述多输入级电路包括PMOS管Mp3、Mp4、Mp5、Mp6、Mp7、Mp8、Mp15、Mp16、Mp17以及NMOS管Mn1、Mn3;所述PMOS管Mp3、Mp6、Mp15的源极均与所述电源正端Vdd连接,所述PMOS管Mp3、Mp6、Mp15三者的栅极短接并连接至所述PMOS管Mp1的栅极;所述PMOS管Mp7和Mp8的栅极分别作为所述六输入差分放大器电路(10)的第一正输入端Vpp和第一负输入端Vpn,所述PMOS管Mp7和Mp8的源极相连并连接至所述PMOS管Mp6的漏极,所述PMOS管Mp7的漏极与所述NMOS管Mn3的漏极连接,所述PMOS管Mp8的漏极与所述NMOS管Mn1的漏极连接;所述PMOS管Mp4和Mp5的栅极分别作为所述六输入差分放大器电路(10)的第二负输入端Vnn和第二正输入端Vnp,所述PMOS管Mp4和Mp5的源极相连并连接至所述PMOS管Mp3的漏极,所述PMOS管Mp4的漏极与所述NMOS管Mn3的漏极连接,所述PMOS管Mp5的漏极与所述NMOS管Mn1的漏极连接;所述PMOS管Mp16和Mp17的栅极分别作为所述六输入差分放大器电路(10)的负辅助输入端Vnx和正辅助输入端Vpx,所述PMOS管Mp16和Mp17的源极相连并连接至所述PMOS管Mp15的漏极,所述PMOS管Mp16的漏极与所述NMOS管Mn1的漏极连接,所述PMOS管Mp17的漏极与所述NMOS管Mn3的漏极连接;所述NMOS管Mn1栅极与漏极短接,所述NMOS管Mn3栅极与漏极短接,所述NMOS管Mn1和Mn3的源极均连接至电源负端Vss;
所述增益级电路包括PMOS管Mp9、Mp10、Mp11、Mp12、Mp13以及NMOS管Mn2、Mn4、Mn5、Mn6;所述PMOS管Mp9和Mp10构成有源电流镜作为负载,所述PMOS管Mp10的栅极与漏极短接后与所述PMOS管Mp9的栅极连接,所述PMOS管Mp9的漏极与所述NMOS管Mn4的漏极连接,所述PMOS管Mp10的漏极与所述NMOS管Mn2的漏极连接;所述NMOS管Mn2与所述多输入级电路中的NMOS管Mn1形成电流镜电路,所述NMOS管Mn2的栅极与所述NMOS管Mn1的栅极相连,所述NMOS管Mn2的源极连接至电源负端Vss;所述NMOS管Mn4与所述多输入级电路中的NMOS管Mn3形成电流镜电路,所述NMOS管Mn4的栅极与所述NMOS管Mn3的栅极相连,所述NMOS管Mn4的源极连接至电源负端Vss;所述PMOS管Mp11、Mp12、Mp13与所述NMOS管Mn5、Mn6形成一个一阶放大器结构,所述PMOS管Mp11的栅极与所述偏置电路中的PMOS管Mp1的栅极相连形成电流源,所述PMOS管Mp12、Mp13的栅极分别连接所述PMOS管Mp9、Mp10的漏极,所述PMOS管Mp12和Mp13的源极相连并连接至所述PMOS管Mp11的漏极,所述PMOS管Mp12、Mp13的漏极分别与所述NMOS管Mn5、Mn6的漏极连接;所述NMOS管Mn5和Mn6构成有源电流镜作为负载,所述NMOS管Mn5的栅极与漏极短接后与所述NMOS管Mn6的栅极连接,所述NMOS管Mn5、Mn6的源极均连接至电源负端Vss;
所述输出级电路包括PMOS管Mp14和NMOS管Mn7;所述PMOS管Mp14的栅极与所述偏置电路中的PMOS管Mp1的栅极连接构成镜像电流源,所述PMOS管Mp14的源极与电源正端Vdd连接,所述PMOS管Mp14的漏极与所述NMOS管Mn7的漏极连接;所述NMOS管Mn7的栅极与所述NMOS管Mn6的漏极连接,所述NMOS管Mn7的源极连接至电源负端Vss;所述PMOS管Mp14的漏极与所述NMOS管Mn7的漏极连接点作为所述六输入差分放大器电路(10)的输出端Vout。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳芯森微电子有限公司,未经深圳芯森微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020627375.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种纸盒灌装装置
- 下一篇:一种环境工程污水回收处理装置