[实用新型]一种新型立式加工中心有效
申请号: | 202020628361.1 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN212552970U | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 许立峰;贺谦 | 申请(专利权)人: | 深圳市诺峰光电设备有限公司 |
主分类号: | B23Q39/00 | 分类号: | B23Q39/00;B23Q11/10;B23Q11/00;B23Q3/155 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518110 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 立式 加工 中心 | ||
1.一种新型立式加工中心,其特征在于:包括底盘(1)、平台机构、刀架(5)、加工头(6)及水箱(7),其中,上述底盘(1)水平设置,底盘(1)内部设有安装空间;上述平台机构设置在底盘(1)的安装空间内,平台机构上安装有待加工的零部件;上述刀架(5)及加工头(6)设置在平台机构的上方,刀架(5)上安装有至少二个刀头,工作刀头安装在加工头(6)下部;上述水箱(7)设置于底盘(1)的一侧,水箱(7)内储存有冷却液,冷却液经水箱进行过滤沉淀后循环使用。
2.根据权利要求1所述的一种新型立式加工中心,其特征在于:所述的底盘(1)包括盘座(11)、斜导槽(12)、喷水嘴(14)及导口(15),其中,上述盘座(11)为水平座体结构,盘座(11)设有顶部为开放面的安装空间;上述斜导槽(12)设置于盘座(11)内,且从盘座(11)一侧内壁倾斜向下延伸至盘座(11)的另一侧侧壁;上述导口(15)设置于盘座(11)另一侧侧壁外部,并与斜导槽(12)连通;上述喷水嘴(14)朝斜导槽(12)方向设置在盘座(11)另一侧内壁上,以便将加工过程中产生的渣滓沿斜导槽(12)冲洗至导口(15)。
3.根据权利要求2所述的一种新型立式加工中心,其特征在于:所述的斜导槽(12)包括二条,两斜导槽(12)平行间隔地设置在盘座(11);上述导口(15)包括二个,两导口分别与两斜导槽(12)连通;上述喷水嘴(14)包括二组,两组喷水嘴(14)分别对应两斜导槽(12)设置;上述喷水嘴(14)通过水平设置于盘座(11)内的支板(13)支撑。
4.根据权利要求3所述的一种新型立式加工中心,其特征在于:所述的平台机构包括第一模组(2)、第二模组(3)及加工台(4),其中,上述第一模组(2)设置在底盘(1)上,第二模组(3)垂直于第一模组(2)设置,并与第一模组(2)的输出端连接;上述加工台(4)水平连接在第二模组(3)的上部,经第一模组(2)及第二模组(3)驱动而在水平面内运动。
5.根据权利要求4所述的一种新型立式加工中心,其特征在于:所述的水箱(7)包括水箱体(71)、过滤空间、过滤组件及水泵(78),其中,上述水箱体(71)为盒状结构;上述过滤空间设置于水箱体(71)的内部,过滤空间包括二组,两组过滤空间分别设置于水箱体(71)的左右两侧;单组的过滤空间包括至少二个独立空间;上述过滤组件设置于相邻两独立空间之间,加工中心导出的带有残渣的冷却液依次经各独立空间及过滤组件进行网孔过滤或物理沉淀;上述水泵(78)设置于冷却液最后储存的独立空间上,并将经过网孔过滤或物理沉淀后的冷却液向外循环导回至加工中心;过滤空间包括第一过滤空间(A)、第二过滤空间(B)、第三过滤空间(C)、第四过滤空间(D)及第五过滤空间,第一过滤空间(A)设置于外侧,第二过滤空间(B)及第三过滤空间(C)沿垂直于第一过滤空间(A)依次设置于第一过滤空间(A)侧部;上述第四过滤空间(D)的两侧边分别贴紧第一过滤空间(A)及第三过滤空间(C)设置;上述第五过滤空间的两侧边贴紧两第四过滤空间(D)设置。
6.根据权利要求5所述的一种新型立式加工中心,其特征在于:所述的过滤组件包括第一过滤网(72)、第二过滤网(73)、第一过滤孔(74)、第二过滤孔(75)、第三过滤网(76)及第四过滤网(77),第一过滤空间(A)及第二过滤空间(B)的顶部分别设有第一过滤网(72)及第二过滤网(73),加工过程中产生的带渣滓的加工液分别经第一过滤网(72)及第二过滤网(73)过滤后,流入第一过滤空间(A)及第二过滤空间(B)。
7.根据权利要求6所述的一种新型立式加工中心,其特征在于:所述的第一过滤空间(A)与第二过滤空间(B)之间的隔板上开设有第一过滤孔(74),第二过滤空间(B)与第三过滤空间(C)之间的隔板上开设有第二过滤孔(75),且第一过滤孔(74)的孔底高度高于第一过滤空间(A)的底面,第二过滤孔(75)的孔底高度高于第一过滤孔(74)的孔底,加工液在第一过滤空间(A)进行物理沉淀后经第一过滤孔(74)进入第二过滤空间(B),在第二过滤空间(B)内进行物理沉淀后经第二过滤孔(75)进入第三过滤空间(C)。
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