[实用新型]一种晶元背面光反射率测量装置有效
申请号: | 202020630052.8 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN213600580U | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 姜华 | 申请(专利权)人: | 海太半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背面 反射率 测量 装置 | ||
本实用新型的目的在于提供一种晶元背面光反射率测量装置,用于监测晶元切割前晶元背面反射能量;包括测量单元,放置台,支架,总控单元;一测量单元,包括中空壳体,设置在所述中空壳体内的积分球,设置在所述积分球外表面的激光器和光电探测器;一放置台,通过一支架固定连接在所述测量单元正下方;所述放置台两侧边缘设置有卡槽;所述放置台中部上表面设置有限位块一总控单元,包括计算机芯片和控制电路;本实用新型的有益效果为:方便对晶元背面的光反射率进行监测,有效确保晶元切割的实际能量。
技术领域
本实用新型属于晶元切割技术领域,尤其涉及一种晶元背面光反射率测量装置。
背景技术
目前为了提高晶元切割效率,大多采用激光隐形切割方式作业,当切割方式对光的有效切割能量要求比较高,但是晶元背面材质、状态等会影响激光反射度,最终影响激光实际穿透晶元的有效能量,导致晶元切割品质无法得到确保,因此急需开发一种晶元背面反射率测量装置,用来晶元切割前监控晶元背面反射能量。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶元背面光反射率测量装置,用于测量晶元背面光反射率。
一种晶元背面光反射率测量装置,包括测量单元1,放置台2,支架3,总控单元4;
一测量单元1,包括中空壳体11,设置在所述中空壳体11内的积分球12,设置在所述积分球12外表面的激光器13和光电探测器 14;
一放置台2,通过一支架3固定连接在所述测量单元1正下方;所述放置台2两侧边缘设置有卡槽22;所述放置台2中部上表面设置有限位块21;
一总控单元4,包括计算机芯片41和控制电路42;所述控制电路42分别与所述计算机芯片41和支架内的线缆连接;
所述测量单元1的所述激光器13和所述光电探测器14分别通过所述支架3内的线缆与所述总控单元4连接;所述限位块21通过所述支架3内的线缆与所述总控单元4连接。
优选的,所述激光器13设置在穿过所述积分球12球心的垂直线上。
优选的,所述激光器13和所示光电探测器14至所述积分球12 球心的连线夹角小于5度。
优选的,所述支架3内设置各类连接线缆。
优选的,所述支架3上设置有线孔。
优选的,所述激光器13为激光二极管。
优选的,所述光电探测器14为光电二极管。
本实用新型的有益效果为:方便对晶元背面的光反射率进行监测,有效确保晶元切割的实际能量。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为测量单元结构示意图;
图中,
1、测量单元;11、中空壳体,12、积分球,13、激光器,14、光电探测器;2、放置台;21、限位块,22、卡槽;3、支架;4、总控单元;41、计算机芯片,42、控制电路。
具体实施方式
下面结合附图对本实用进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。
本实用新型提供一种晶元背面光反射率测量装置,包括:
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