[实用新型]高压半导体功率装置的边缘终接的结构有效
| 申请号： | 202020631223.9 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN211700290U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 苏毅 | 申请（专利权）人： | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 功率 装置 边缘 结构 | ||
1.一种高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，
在衬底中形成有核心沟槽及终端沟槽，其中所述终端沟槽比所述核心沟槽的深度深；
所述核心沟槽及终端沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。
2.根据权利要求1所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述终端沟槽的深度比所述核心沟槽的深度多10～20％所述核心沟槽的深度。
3.根据权利要求1所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述核心沟槽及终端沟槽的底部沉积相同厚度的厚氧化层。
4.根据权利要求1所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述终端沟槽内所述氧化物之间的第一多晶硅的厚度到达所述终端沟槽的硅表面。
5.根据权利要求1所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述终端沟槽内所述氧化物之间的第一多晶硅上方的位置高度与所述核心沟槽内所述氧化物之间的第一多晶硅的位置高度相同。
6.根据权利要求5所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述终端沟槽内所述氧化物之间的第一多晶硅上方进一步设有第二多晶硅，所述第二多晶硅的厚度与所述核心沟槽内的第二多晶硅厚度相同。
7.根据权利要求1所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，进一步所述终端沟槽向外延伸设有通道停止沟槽，所述通道停止沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。
8.根据权利要求7所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述通道停止沟槽与核心沟槽及终端沟槽的底部沉积相同厚度的厚氧化层。
9.根据权利要求7所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述通道停止沟槽的第一多晶硅的厚度到达所述通道停止沟槽的硅表面。
10.根据权利要求7所述的高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，所述通道停止沟槽内的第一多晶硅与所述通道停止沟槽外部的硅本体区域电性连接。
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