[实用新型]一种X射线芯片封装管壳

权利要求书

1.一种X射线芯片封装管壳，包括管座(1)和管帽(3)，其特征在于，所述管座(1)位于所述管帽(3)下方，所述管座(1)包括基板(7)和管脚(8)，所述管座(1)中间位置设置有基板(7)，所述基板(7)上设置有芯片(2)，所述基板(7)穿过设置有管脚(8)，所述管帽(3)包括靶材薄膜(4)和电极(9)，所述靶材薄膜(4)设置在所述基板(7)上方，所述电极(9)设置在所述管帽(3)侧边，所述管座(1)和管帽(3)固定连接且所述管座(1)和管帽(3)中间呈高真空腔(5)。

2.根据权利要求1所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述管帽(3)呈三层结构，所述三层结构包括发生层(10)、聚集层(6)和发射层(11)，所述发生层(10)设置在所述管座(1)上方，所述发生层(10)端部设置有聚集层(6)，所述聚集层(6)端部设置有发射层(11)，所述发射层(11)端部设置有靶材薄膜(4)。

3.根据权利要求1所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述管帽(3)呈两层结构，所述两层结构包括发生层(10)和聚集层(6)，所述发生层(10)设置在所述管座(1)上方，所述发生层(10)端部设置聚集层(6)，所述聚集层(6)端部设置有靶材薄膜(4)，所述管帽(3)上方设置有电极(9)。

4.根据权利要求2或3所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述靶材薄膜(4)使用Be材料，所述Be材料表面镀铜且所述镀铜面位于所述高真空腔(5)内部。

5.根据权利要求1所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述基板(7)上设置有金属化陶瓷片，所述芯片(2)底端焊接在所述金属化陶瓷片上。

6.根据权利要求5所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述管帽(3)内部设置有金属化薄膜。

7.根据权利要求6所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述管座(1)和管帽(3)是陶瓷管材料，所述管座(1)和管脚(8)是一体化成型，所述管帽(3)和电极(9)是一体化成型。

8.根据权利要求7所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述管脚(8)和管座(1)通过陶瓷烧结产生玻璃态现象实现密封。

9.根据权利要求8所述的X射线芯片封装管壳，其特征在于，所述管座和管帽一体化选用玻璃为介质焊接。