[实用新型]一种半导体厂酸碱废气综合处理装置

权利要求书

1.一种半导体厂酸碱废气综合处理装置，包括废气综合处理塔体(5)，其特征在于：所述废气综合处理塔体(5)的内部的下方安装有废气收集室(13)，所述废气收集室(13)的内部的下方安装有斜坡板(18)，所述废气收集室(13)的内部的前端安装有排污口(17)，所述废气收集室(13)的上方安装有聚集室(14)，所述聚集室(14)的内部的一侧安装有倒三角密封块(11)，所述聚集室(14)的上方安装有环形连接管(6)，所述环形连接管(6)的内部安装有叉型连接管(22)，所述叉型连接管(22)的下方的中间位置安装有多孔喷淋头(7)，所述环形连接管(6)的上方安装有填料净化处理层(4)，所述填料净化处理层(4)的上方安装有除味净化层(2)，所述废气综合处理塔体(5)的顶端安装有净气出口(1)，所述废气综合处理塔体(5)的前端的上方安装有检修口(3)，所述检修口(3)的下方安装有废气入口(12)，所述废气入口(12)的下方安装有密封罩(16)，所述密封罩(16)的前端安装有盖板(15)，所述密封罩(16)的下方安装有储污箱(19)，所述储污箱(19)的底部安装有滑轮(20)，所述废气综合处理塔体(5)的底部安装有底座(21)，所述废气综合处理塔体(5)的后端的中间位置安装有储水箱固定座(10)，所述储水箱固定座(10)的内部安装有储水箱(9)，所述储水箱(9)的上方的一侧安装有输水管(8)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体厂酸碱废气综合处理装置，其特征在于：所述排污口(17)与废气综合处理塔体(5)镶嵌的位置上设置有冲孔，且排污口(17)与冲孔通过镶嵌连接。

3.根据权利要求1所述的一种半导体厂酸碱废气综合处理装置，其特征在于：所述斜坡板(18)与废气收集室(13)通过焊接连接，且斜坡板(18)与废气收集室(13)倾斜的角度设置为45度。

4.根据权利要求1所述的一种半导体厂酸碱废气综合处理装置，其特征在于：所述密封罩(16)与废气综合处理塔体(5)通过螺栓固定连接，且盖板(15)与密封罩(16)通过卡扣镶嵌连接，且盖板(15)设置为透明结构。

5.根据权利要求1所述的一种半导体厂酸碱废气综合处理装置，其特征在于：所述密封罩(16)与储污箱(19)通过焊接连接，且储污箱(19)的前端和后端的中间位置均设置有把手，且把手与储污箱(19)通过焊接连接。

6.根据权利要求1所述的一种半导体厂酸碱废气综合处理装置，其特征在于：所述倒三角密封块(11)与聚集室(14)通过焊接连接，且大口朝下，小口朝上。