[实用新型]一种定点冷却SiC混合功率模块

权利要求书

1.一种定点冷却SiC混合功率模块，包括内部芯片，其特征在于，所述内部芯片包括IGBT芯片和SiC二极管；所述IGBT芯片与所述SiC二极管相串联；所述定点冷却SiC混合功率模块还包括：

上DBC基板，其位于所述内部芯片的上方；

下DBC基板，其位于所述内部芯片的下方；

上热沉、下热沉；所述上热沉和下热沉分别位于所述上DBC基板的上端和下DBC基板的下端；

上热脂层，其位于所述上热沉与上DBC基板之间；

下热脂层，其位于所述下热沉与下DBC基板之间；

上微通道结构，其设于所述上热脂层和所述上DBC基板内且向下延伸；

下微通道结构，其设于所述下热脂层和所述下DBC基板内且向上延伸。

2.根据权利要求1所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上热沉内设有位于所述上DBC基板上方的上TEC制冷片；所述下热沉内设有位于所述下DBC基板下方的下TEC制冷片。

3.根据权利要求2所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上微通道结构设于所述上TEC制冷片的下方且向下贯穿所述上热脂层并穿过所述上DBC基板；所述下微通道结构设于所述下TEC制冷片的上方且向上贯穿所述下热脂层并穿过所述下DBC基板。

4.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板与下DBC基板之间具有2个所述内部芯片；所述上微通道结构的数量为3条；所述下微通道结构的数量为3条。

5.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上TEC制冷片位于IGBT芯片的上方，所述下TEC制冷片位于IGBT芯片的下方；所述上微通道结构向下垂直于所述上热脂层和上DBC基板；所述下微通道结构向上垂直于所述下热脂层和下DBC基板。

6.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上微通道结构和下微通道结构均为圆孔通道；所述上微通道结构的直径为10μm～1000μm；所述下微通道结构的直径为10μm～1000μm。

7.根据权利要求6所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上微通道结构的直径为10μm、50μm或100μm；所述下微通道结构的直径为10μm、50μm或100μm。

8.根据权利要求3所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板的下端开设有上凹口；所述下DBC基板的上端开设有下凹口；所述上凹口和下凹口在上DBC基板和下DBC基板压接封装时形成一个用于灌入惰性气体的密封腔；所述内部芯片位于所述密封腔内。

9.根据权利要求8所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上DBC基板与所述下DBC基板相对所述内部芯片相对称；所述上DBC基板由上至下依次包括外铜层、AlN陶瓷层和内铜层；所述下DBC基板由下至上依次包括所述外铜层、AlN陶瓷层和内铜层；

所述上微通道结构贯穿所述外铜层、AlN陶瓷层且所述上微通道结构的下端面与所述内铜层的上端面相接触；

所述下微通道结构贯穿所述外铜层、AlN陶瓷层且所述下微通道结构的上端面与所述内铜层的下端面相接触；

所述上凹口和下凹口对应设于所述上DBC基板和下DBC基板的内铜层上。

10.根据权利要求9所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上热脂层和下热脂层的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述外铜层和内铜层的厚度均为0.2mm～0.4mm；所述AlN陶瓷层的厚度为0.7mm～0.9mm。

11.根据权利要求10所述的定点冷却SiC混合功率模块，其特征在于，所述上热脂层和下热脂层的厚度均为0.3mm；所述外铜层和内铜层的厚度均为0.4mm；所述AlN陶瓷层的厚度为0.9mm。